金瓷基底冠桥进行氧化,是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下应继续维持A、1~2分钟B、3~5分钟C、5~10分钟D、10~12分钟E、12~15分钟
金瓷基底冠桥进行氧化,是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下应继续维持
A、1~2分钟
B、3~5分钟
C、5~10分钟
D、10~12分钟
E、12~15分钟
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某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时,用铝砂喷砂去除金-瓷结合面的包埋料后,以下哪一操作步骤是错误的A、用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物B、用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形D、使用橡皮轮磨光金属表面E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时,用铝砂喷砂去除金一瓷结合面的包埋料后,以下哪一操作步骤是错误的 A、用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物B、用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形D、使用橡皮轮磨光金属表面E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度,因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠的打磨处理中错误的是A、用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合.部要求的外形D、禁止使用橡皮轮磨光E、用50~100μm的氧化铝喷砂PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同E、理想的氧化膜厚度为0.2~2μm
某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时,用铝砂喷砂去除金-瓷结合面的包埋料后,以下操作步骤错误的是A、用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物B、用钨钢钻磨除贵金属表面的氧化物C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形D、使用橡皮轮磨光金属表面E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A.非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B.贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C.巴非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D.非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同E.理想的氧化膜厚度为0.2~2μm