下列有关烤瓷金属内冠除气的说法，正确的是（）A、除气即是用在炉内加热的方法排除合金中残留的气体，并形成氧化膜B、贵金属需在半真空下加热10～15分钟即可C、非贵金属需在半真空下加热5分钟即可D、理想的氧层厚度是0.2～2μmE、氧化层厚度与金属-烤瓷结合强度成正变关系
下列有关烤瓷金属内冠除气的说法，正确的是（）
- A、除气即是用在炉内加热的方法排除合金中残留的气体，并形成氧化膜
- B、贵金属需在半真空下加热10～15分钟即可
- C、非贵金属需在半真空下加热5分钟即可
- D、理想的氧层厚度是0.2～2μm
- E、氧化层厚度与金属-烤瓷结合强度成正变关系
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金属基底冠除气目的，下列说法正确的是（）A、去除铸造过程中形成的氧化膜B、去除金属基底金属-烤瓷结合面的氧化物C、排除合金中残留的气体D、避免瓷熔附时出现气泡E、在基底表面形成氧化膜