非金属材料的透光性与其能带结构中()的能量大小有关。 A.禁带B.允带C.导带D.价带
在煤层开采过程中，顶板破坏一般分为三带，其中不导水带为()。A.垮落带B.导水裂缝带C.弯曲带D.裂隙带
N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中B.导带中C.禁带中，但接近满带顶D.禁带中，但接近导带底
下列不是能带的是（）.A、价带B、电带C、导带D、禁带
当底板含水层上部存在承压水导升带，则底板安全煤岩柱高度应大于或等于阻水带厚度、承压水导升带高度和（）。A、隔水带深度之和B、原岩带厚度之和C、裂隙带厚度之和D、导水破坏带深度之和
与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是（）。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴，导带中总是有电子D、禁带宽度较窄
肌丝滑行学说的直接根据是肌肉收缩时的什么变化？（）A、肌小节的长度缩短B、明带和暗带缩短；C、暗带长度不变，明带和H带缩短D、暗带长度不变，明带和H带不变
p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
布里渊区的界面附近，费米面和能级密度函数有何变化规律？哪些条件下会发生禁带重叠或禁带消失现象？试分析禁带的产生原因。
单选题当底板含水层上部存在承压水导升带，则底板安全煤岩柱高度应大于或等于阻水带厚度、承压水导升带高度和（）。A隔水带深度之和B原岩带厚度之和C裂隙带厚度之和D导水破坏带深度之和
填空题电子占据了一个能带中的所有的状态，称该能带为（）；没有任何电子占据的能带，称为（）；导带以下的第一满带，或者最上面的一个满带称为（）；最下面的一个空带称为（）；两个能带之间，不允许存在的能级宽度，称为（）。
单选题半导体中施主能级的位置位于（）中。A禁带B价带C导带D满带
单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A价带，导带B价带，禁带C禁带，导带D导带，价带
单选题在光电转换过程中，Si比GaAs量子效率低，因为其（）。A禁带较窄B禁带较宽C禁带是间接跃迁型D禁带是直接跃迁型
单选题半导体中施主能级的位置位于（）。A禁带B满带C导带D价带
单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A禁带B价带C导带D满带
单选题晶体中大量原子集合在一起，原来相同的能级分裂为大量的与原来能级很接近的新能级，这些新能级所分布的能量范围称为（）A能带B允带C满带D禁带