单选题在有强电场干扰的现场,测量试品介质损耗因数tgδ,有多种抗干扰测量方法,并各有一定的局限性,但下列项目()的说法是错的A选相倒相法:正、反相测得值的差别较大,有时可达±50%及以上;B外加反干扰电源补偿法:补偿电源与干扰信号间的相位有不确定性C变频测量方法:测量的稳定性、重复性及准确性较差D过零比较检测方法:测量结果的分散性稍大

单选题
在有强电场干扰的现场,测量试品介质损耗因数tgδ,有多种抗干扰测量方法,并各有一定的局限性,但下列项目()的说法是错的
A

选相倒相法:正、反相测得值的差别较大,有时可达±50%及以上;

B

外加反干扰电源补偿法:补偿电源与干扰信号间的相位有不确定性

C

变频测量方法:测量的稳定性、重复性及准确性较差

D

过零比较检测方法:测量结果的分散性稍大


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采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时,若试品的电容量较小,测量中出现负值,一定是存在着电场干扰。

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测量介质损耗因数,通常不易发现()。A、整体受潮B、绝缘油劣化C、小体积试品的局部缺陷D、大体积试品的局部缺陷

击穿强度高,介质损耗因数tgδ小的绝缘油,体积电阻一定小。

测量非纯瓷套管的介质损耗因数tgδ和电容值时,同一绕组的套管()。

分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时,应特别注意哪些外界因素的影响?

在有强电场干扰的现场,测量试品介质损耗因数tgδ,有多种抗干扰测量方法,并各有一定的局限性,但下列项目()的说法是错的A、选相倒相法:正、反相测得值的差别较大,有时可达±50%及以上;B、外加反干扰电源补偿法:补偿电源与干扰信号间的相位有不确定性C、变频测量方法:测量的稳定性、重复性及准确性较差D、过零比较"检测方法:测量结果的分散性稍大

为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时,采用正接线好?

测量介质损耗因数,通常能发现的设备绝缘缺陷是()。A、整体受潮B、整体劣化C、小体积试品的局部缺陷D、大体积试品的局部缺陷

在分析小电容量试品的介质损耗因素的测量结果时,应特别注意的外界因素是()。A、电力设备绝缘表面脏污B、电场干扰和磁场干扰C、试验引线的设置位置—长度D、温度与湿度E、周围环境杂物等

介质损耗出现负值是因为()。A、被试品是阻性B、被试品是容性C、被试品是感性D、试验现场的电磁干扰

耦合电容器的主要参数是()A、标称电容量Cb和绝缘电阻B、介质损耗因数tgδ和额定电压C、标称电容量Cb和介质损耗因数tgδD、标称电容量Cb和高频等效电阻r

介质损耗因数tgδ的含义?

现场用电桥测量介质损耗因数,出现-tgδ的主要原因:①标准电容器CN有损耗,且tgδN>tgδx;②电场干扰;③试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响;④空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响。

测量绝缘介质出现负值的主要原因是()A、标准电容有介损且大于被试品的介损B、电场干扰C、空间干扰D、湿度影响

测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时,影响测试结果的因数包括()。A、温度、湿度的影响B、电场干扰影响C、外界磁场的影响D、试品表面泄漏的影响

为什么说测量电气设备的介质损耗因数tgδ,对判断设备绝缘的优劣状况具有重要意义?

有n个试品的介质损耗因数分别为tgδ1、tgδ2、tgδ3、……、tgδn,若将它们并联在一起测得的总tgδ值必为tgδ1、……、tgδn中的()。A、最大值;B、最小值;C、平均值;D、某介于最大值与最小值之间的值。

在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时,若存在电场干扰,则在任意测试电源极性的情况下,所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。

在有强电场干扰的现场,测量试品介质损耗因数tgδ,有多种抗干扰测量方法,并各有一定的局限性,但下列项目()的说法是错的。A、选相倒相法:正、反相测得值的差别较大,有时可达±50%及以上B、外加反干扰电源补偿法:补偿电源与干扰信号间的相位有不确定性C、变频测量方法:测量的稳定性、重复性及准确性较差

电容量和介质损耗因数试验中现场测量存在()干扰影响时,应采取相应措施进行消除。A、电场B、磁场C、机械波D、引力波

在有强电场干扰的现场,测量试品介质损耗因数,有多种抗干扰测量方法,并各有一定的局限性,但下列项目()的说法是正确的。A、选相倒相法:正、反相测得值的差别较大,有时可达±50%及以上B、外加反干扰电源补偿法:补偿电源与干扰信号间的相位有不确定性C、变频测量方法:测量的稳定性、重复性及准确性较差D、“过零比较”检测方法:测量结果的分散性稍大

现场用电桥测量介质损耗因数,出现负数的可能原因是()。A、标准电容器有损耗B、外部电场干扰C、试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响D、空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响

测量介质损耗因数,对发现以下哪些缺陷较为有效?()A、整体受潮B、绝缘油劣化C、小体积试品的局部缺陷D、大体积试品的局部缺陷

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