采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时,若试品的电容量较小,测量中出现负值,一定是存在着电场干扰。

采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时,若试品的电容量较小,测量中出现负值,一定是存在着电场干扰。


相关考题:

QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器,可测量电容量为300PF~100μF的试品。A对B错

在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时,使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些?

在相同条件下,用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

使用QS1电桥测量tgδ时,接通或断开电源时,检流计灵敏度应在()。

使用QS1型交流电桥测量tanØ时,现场采用排除电场干扰的方法有以下几种()A、提高试验电压B、采用正接线方法C、用电桥内部“选相”、“倒相”法接线,排除干扰源对电源相位的干扰D、在被试设备上加装屏蔽罩

QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器,可测量电容量为300PF~100μF的试品。

在QS1型西林电桥测量操作中,若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值,则电桥的调节值需趋向最高值,电桥R3才能趋向平衡。

现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮,当出现较大电场干扰时,则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下,所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。

为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时,采用正接线好?

在现场使用QS1交流电桥时,根据试品的大约电容量估算R3的值,若R3的值偏大很多时,电桥趋于平衡,则故障的原因可能是连接Cx的引线断线。

试品绝缘表面脏污、受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,描述正确的是()。A、试品电容量越大,对试品tgδ和C测量结果影响越大B、试品电容量越大,对试品tgδ和C测量结果影响越小C、试品电容量大小,对试品tgδ和C测量结果不影响D、以上均不是

QS1型交流电桥测量时,影响tanØ测量值因素主要有()A、电场干扰B、温度影响C、被试设备局部绝缘缺陷的影响D、测量电压的影响

试品绝缘表面脏污、受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品tgδ和C测量结果的影响程度是()A、试品电容量越大,影响越大B、试品电容量越小,影响越小C、试品电容量越小,影响越大D、与试品电容量的大小无关

使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为15000pF,加压10kV,电桥分流器的位置选择哪一档为宜()。A、0.01B、0.025C、0.06D、0.15

用QS1型西林电桥测量介损时,怎样选择分流器位置?若被试品电容量约为4000pF(U=10kV)分流器应在何位置?

测量介损tgδ和测量绝缘电阻一样,试品的表面泄漏对测量结果有一定影响,并且()。A、试品电容量较大,影响较小B、试品电容量较大,影响较大C、与试品电容量无关

交流QS1电桥,虽然精度较低,但具有携带(),操作简单、适合()使用的特点。电桥本体及标准电容器CN均具有加强绝缘,能适应10kV电压下()测量的需要,可方便地用于现场外壳()的试品。

使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为1500PF、加压10kV,电桥分流器的位置选择()档为宜。A、0.01B、0.025C、0.06D、0.15

测量tgδ时,为何要选择QS1电桥的分流位置?

变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时,对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。

用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。

使用QS1电桥时,根据试品电容量估算R3的值,若R3偏大很多时,电桥才趋于平衡,试问故障原因和如何检查?

判断题现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮,当出现较大电场干扰时,则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下,所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。A对B错

判断题QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器,可测量电容量为300PF~100μF的试品。A对B错

单选题试品电容量约为15000pF,当用10kVQS1型西林电桥测量其tgδ及C时,电桥分流器档位宜设置在()档A0.01B0.025C0.06D0.15

单选题试品电容量约15000pF,使用QS1型西林电桥,施加10kV测量其tgδ时,电桥分流器位置宜选定在()档位置A0.01B0.025C0.06D0.15

判断题在相同条件下,用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。A对B错