分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时,应特别注意哪些外界因素的影响?

分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时,应特别注意哪些外界因素的影响?


相关考题:

在相同条件下,用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时,用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。( )

CVT电容分压器电容量和介质损耗角tanδ的测量结果:电容量与出厂值比较其变化量超过-5%或10%时要引起注意,tanδ不应大于0.5%。

在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时,使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些?

在现场测量小电容量试品的介质tanδ值时,受外界影响的因素很多,往往引入很多误差,这类试品主要是指()。A、变压器B、耦合电容器C、电流互感器D、变压器套管

采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时,若试品的电容量较小,测量中出现负值,一定是存在着电场干扰。

测量耦合电容器的电容量和介质损耗因数时,多节串联的应()测量。测量前应确认外绝缘表面清洁、干燥,分析时应注意温度影响。

试品绝缘表面脏污,受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品介损和电容量测量结果的影响程度是()A、试品电容量越大,影响越大B、试品电容量越小,影响越小C、试品电容量越小,影响越大D、与试品电容量的大小无关

为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时,采用正接线好?

当被试品电容量很小,测量其介损tgδ时,介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。

试品绝缘表面脏污、受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,描述正确的是()。A、试品电容量越大,对试品tgδ和C测量结果影响越大B、试品电容量越大,对试品tgδ和C测量结果影响越小C、试品电容量大小,对试品tgδ和C测量结果不影响D、以上均不是

在相同条件下,用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

试品绝缘表面脏污、受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品tgδ和C测量结果的影响程度是()A、试品电容量越大,影响越大B、试品电容量越小,影响越小C、试品电容量越小,影响越大D、与试品电容量的大小无关

耦合电容器出厂试验型式试验项目包括()。A、交流电压试验,干试或湿试B、雷电冲击电压试验C、局部放电试验D、电容量及介质损耗因素测量

在分析小电容量试品的介质损耗因素的测量结果时,应特别注意的外界因素是()。A、电力设备绝缘表面脏污B、电场干扰和磁场干扰C、试验引线的设置位置—长度D、温度与湿度E、周围环境杂物等

下列关于电容量和介质损耗试验的说法正确的是()。A、有绕组的被试品进行电容量和介质损耗因数试验时,与被试部位相连的所有绕组端子连在一起加压,其余绕组端子均接地B、电磁式电压互感器应采用末端屏蔽法C、电容量和介质损耗因数试验中,断路器断口间并联电容器在分闸状态下测量,对于瓷柱式断路器,与断口一起测量D、对于罐式断路器(包括GIS中的断路器),按设备技术文件规定进行,测试结果不符合要求时,可对电容器独立进行测量

耦合电容器的主要参数是()A、标称电容量Cb和绝缘电阻B、介质损耗因数tgδ和额定电压C、标称电容量Cb和介质损耗因数tgδD、标称电容量Cb和高频等效电阻r

现场用电桥测量介质损耗因数,出现-tgδ的主要原因:①标准电容器CN有损耗,且tgδN>tgδx;②电场干扰;③试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响;④空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响。

当设备各部分的介质损耗因数差别较大时,其综合的tgδ值接近于并联电介质中电容量最大部分的介质损耗数值。

测量介质损耗正切值tgδ时出现负数现象的原因是什么?

测量介损tgδ和测量绝缘电阻一样,试品的表面泄漏对测量结果有一定影响,并且()。A、试品电容量较大,影响较小B、试品电容量较大,影响较大C、与试品电容量无关

测量互感器、套管等小电容量试品的介损tgδ时,如试品周围近距离内有大面积接地物体(墙壁、构架、栅栏等),通过()耦合,会影响测量结果的真实性;对大电感试品,应将线圈首尾(),以消除电感、电容对测量准确度的影响。

简述测量小电容量试品绝缘电阻的操作步骤?

为了保证电容量和介质损耗因数测量的准确,对测量仪器的要求如下:介质损耗因数的测量不确定度不大于(),电容量的测量不确定度不大于()。

关于电流互感器电容量和介质损耗因数的表述正确的是()。A、电容量初值差不应超过±3%B、末屏介质损耗因数要求小于0.015C、测量值异常,可测量介质损耗因数与测量电压之间的关系曲线D、220kV电流互感器介损值应小于0.006

测量介质损耗因数,对发现以下哪些缺陷较为有效?()A、整体受潮B、绝缘油劣化C、小体积试品的局部缺陷D、大体积试品的局部缺陷

单选题试品绝缘表面脏污、受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品tgδ和C测量结果的影响程度是()A试品电容量越大,影响越大B试品电容量越小,影响越小C试品电容量越小,影响越大D与试品电容量的大小无关

单选题试品绝缘表面脏污,受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品介损和电容量测量结果的影响程度是()A试品电容量越大,影响越大B试品电容量越小,影响越小C试品电容量越小,影响越大D与试品电容量的大小无关