有n个试品的介质损耗因数分别为tgδ1、tgδ2、tgδ3、……、tgδn，若将它们并联在一起测得的总tgδ值必为tgδ1、……、tgδn中的（）。A、最大值；B、最小值；C、平均值；D、某介于最大值与最小值之间的值。
有n个试品的介质损耗因数分别为tgδ1、tgδ2、tgδ3、……、tgδn，若将它们并联在一起测得的总tgδ值必为tgδ1、……、tgδn中的（）。
- A、最大值；
- B、最小值；
- C、平均值；
- D、某介于最大值与最小值之间的值。
相关考题：
某高压电气设备测量的介质损耗因数tgδ结果如下：有缺陷部分C1=250PF，tgδ1=5%；良好部分C2=10000PF，tgδ2=0.4%。两部分并联后，整体的tgδ与（）接近。A、4%B、2%C、0.5%D、0.25%
某单位欲将功率因数值由cosφ1，提高至cosφ2，则所需装设的补偿电容器应按（）式选择A、Qc=P（cosφ1-cosφ2）B、Qc=P（cosφ2-cosφ1）C、Qc=P（tgφ1-tgφ2）D、Qc=P（tgφ2-tgφ1）
试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，描述正确的是（）。A、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越大B、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越小C、试品电容量大小，对试品tgδ和C测量结果不影响D、以上均不是
某单位欲将功率因数值由COSφ1，提高至COSφ2，则所需装设的补偿电器应按（）式选择。A、Qc=P（COSφ1-COSφ2）B、Qc=P（COSφ2-COSφ1）C、Qc=P（tgφ1-tgφ2）D、Qc=P（tgφ2-tgφ1）
现场用电桥测量介质损耗因数，出现－tgδ的主要原因：①标准电容器CN有损耗，且tgδN＞tgδx；②电场干扰；③试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响；④空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响。
用倒相法消除外电场对tgδ测量的干扰，需要先在试验电源正、反相两种极性下，测量两组数据：C1tgδ1、C2tgδ2，然后按公式（）计算出试品的实际的tgδ值。A、tgδ=（tgδ1+tgδ2）/2B、tgδ=（C1tgδ1+C2tgδ2）/（C1-C2）C、tgδ=（C1tgδ1+C2tgδ2）/（C1+C2）D、tgδ=（C2tgδ1+C1tgδ2）/（C1+C2）
单选题某高压电气设备测量的介质损耗因数tgδ结果如下：有缺陷部分C1=250PF，tgδ1=5%；良好部分C2=10000PF，tgδ2=0.4%。两部分并联后，整体的tgδ与（）接近。A4%B2%C0.5%D0.25%
多选题以下各选项中，属于电路参数的是（）。A电压B功率C时间常数τD介质损耗tgδE品质因数Q