vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。 A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管
当用专用输出结构的PAL设计时序逻辑电路时,必须还要具备有() A、触发器B、晶体管C、MOS管D、电容
结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
增强型MOS管放大电路，为何不可采用自给栅偏压的结构形式？
一个MOS管当栅极与漏极短接时，该MOS管可以作为（）。A、二极管B、负载电容C、负载电感D、有源负载
IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。A、结构复杂B、复合C、全控型D、电压驱动式
对于大尺寸的MOS管版图设计，适合采用什么样的版图结构？简述原因。
单极型集成电路不包含（）.A、普通晶体管（NPN管或PNP管）B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS（即CMOS）
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
我们现在所使用的摄像机大多数都是以（）图像传感器为核心的固态摄像机。A、摄像管式B、CMOSC、CCDD、MOS
三极管按内部结构的不同，分为（）型。A、TTLB、CMOSC、NPND、PNPE、MOS
衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管
某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管
更具结构不同，场效应管分为（）A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管
CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
多选题关于高宽长比MOS管的版图，下列说法正确的是（）A高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。B高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。C高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。D高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。
问答题MOS管的主要噪声是什么？分别是如何产生的？如何减小？
问答题MOS工艺包括有哪几种？MOS工艺的重要参数是什么？什么是特征尺寸？
问答题MOS管的动态特性是什么？受哪些因素影响？尺寸缩小对动态特性的影响是什么？