静态随机存储器可以用双极型器件构成，也可以由MOS型器件构成。双极型器件与MOS型器件相比，下面哪一项不是它的特点( )A．工艺较简单B．集成度较低C．存取速度低D．功耗比较大
PN结加反向电压（数值小于击穿电压）时：（）。A、空间电荷区变宽，漂移运动大于扩散运动B、空间电荷区变窄，漂移运动大于扩散运动C、空间电荷区变窄，扩散运动大于漂移运动D、空间电荷区变宽，扩散运动大于漂移运动
以下元器件哪些是湿敏元器件？（）A、BGAB、排容C、电阻D、MOS管E、PCB
LD是一种阈值器件，它通过（）发射发光，而LED通过（）发射发光。
在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于（）而产生的，漂移运动是（）作用下产生的。
PN结反向工作时，流过的电流主要是（）A、扩散电流B、漂移电流C、传导电流D、扩散和漂移电流并存
当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管
工作在放大状态的晶体管，流过集电结的主要是（）A、扩散电流B、漂移电流
漂移性故障是由于元器件（）和（）漂移而造成的故障。A、参数B、部件C、电源电压D、电源负载
IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。
判断题MOS器件工作在亚阈值区，对于漏电流起决定作用的是扩散而不是漂移。A对B错
判断题对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。A对B错
判断题热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散，因为它会导致沟道长度的减小，影响器件的集成度和性能。A对B错
判断题用来制造MOS器件最常用的是（100）面的硅片，这是因为（100）面的表面状态更有利于控制MOS器件开态和关态所要求的阈值电压。A对B错
问答题按MOS沟道随栅压正向和负向增加而形成或消失的机理，存在着哪两种类型的MOS器件？
单选题在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（）A增大B减小C不变D先减小后增大
填空题衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）
问答题MOS器件按比例缩小后对器件特性有什么影响？
单选题pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向（）A复合电流B漂移电流C扩散电流D漏电流
问答题MOS器件结构的对称性使其源漏区可以互换，双极型器件是否也具有同样的特点？若没有，请说明原因。
多选题漂移性故障是由于元器件（）和（）漂移而造成的故障。A参数B部件C电源电压D电源负载