下列哪一项是混杂参数（）。A、α、β、A、BB、K10、K12、K21C、Ka、K、α、βD、t1/2、Cl、A、BE、Cl、V、α、β
下列哪一项是混杂参数（）。
- A、α、β、A、B
- B、K10、K12、K21
- C、Ka、K、α、β
- D、t1/2、Cl、A、B
- E、Cl、V、α、β
相关考题：
抑制性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致() A、Na+、K+、Cl-，尤其是K+B、Na+、K+、Cl-，尤其是Na+C、K+、Cl-，尤其是Cl-D、K+、Cl-，尤其是K+E、Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+
兴奋性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致() A、Na+、K+、Cl-，尤其是K+B、Na+、K+，尤其是Na+C、K+、Cl-，尤其是Cl-D、K+、Cl-，尤其是K+E、Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+
突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A．Na+，Cl-，K+，尤其是K+B．Ca2+，K+，Cl-，尤其是Ca2+C．Na+，K+，尤其是Na+D．K+，Cl-，尤其是Cl-E．K+，Ca2+，Na+，尤其是Ca2+
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位A.K+、Cl-，尤其是K+B.Na+、Cl-，尤其是Na+C.K+、Cl-。尤其是Cl-D.ca2+、cl-尤其是Ca2+E.Na+、Cl-，尤其是Cl-
突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生兴奋性突触后电位A:Na+、Cl-、K+，尤其是K+B:Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+C:K+、Cl-，尤其是Cl-D:Na+、Cl-、K+尤其是Na+E:K+、Ca2+、Na+，尤其是Ca2+
下列离子的通透性增加会产生抑制性突触后电位，正确的是（）。A、Na+、Clˉ、K+，尤其是K+B、K+、Cl+，尤其是ClˉC、Na+、K+，尤其是Na+D、Ca2+、K+、Clˉ，尤其是Ca2+E、K+、Ca2+、Na+，尤其是Ca2+
在298.15K、标准状态下，电对Cu2+/Cu、I/I-、Sn4+/Sn2+、Cl2/Cl-中最强的氧化剂是（）。（φθ（Cu2+/Cu）=0.3419V，φθ（I2/I-）=0.5355V，φθ（Sn4+/Sn2+）=0.151V，φθ（Cl2/Cl-）=1.358V）A、Cl2B、Cu2+C、I2D、Sn4+
在298.15K、标准状态下，电对Cu2+/Cu、Fe3+/Fe2+、Sn4+/Sn2+、Cl2/Cl-中最强的还原剂是（）。（φθ（Cu2+/Cu）=0.3419V，φθ（Fe3+/Fe2+）=0.771V，φθ（Sn4+/Sn2+）=0.151V，φθ（Cl2/Cl-）=1.358V）A、Cl2B、CuC、Fe2+D、Sn2+
已知Eθ（Cl2/Cl-）=+1.36V，在下列电极反应中标准电极电势为+1.36V的电极反应是（）A、Cl2+2e-=2Cl-B、2Cl--2e-=Cl2C、1/2Cl2+e-=Cl-D、都是
已知298K时Hg2Cl2+2e→2Hg+2Cl-，φ1=0.2676V；AgCl+e→Ag+Cl-，φ2=0.2224V。则当电池反应为：Hg2Cl2+2Ag→2AgCl+2Hg时，其电池的E为：（）。A、-0.0886VB、-0.1772VC、0.0276VD、0.0452V
已知298K时Hg2Cl2+2e→2Hg+2Cl-，φ01=0.2676V；AgCl+e→Ag+Cl-，φ02=0.2224V。则当电池反应为：Hg2Cl2+2Ag→2AgCl+2Hg时，其电池的E0为：（）A、-0.0886VB、-0.1772VC、0.0276VD、0.0452V
单选题在298.15K、标准状态下，电对Cu2+/Cu、I/I-、Sn4+/Sn2+、Cl2/Cl-中最强的氧化剂是（）。（φθ（Cu2+/Cu）=0.3419V，φθ（I2/I-）=0.5355V，φθ（Sn4+/Sn2+）=0.151V，φθ（Cl2/Cl-）=1.358V）ACl2BCu2+CI2DSn4+
单选题在298.15K、标准状态下，电对Cu2+/Cu、Fe3+/Fe2+、Sn4+/Sn2+、Cl2/Cl-中最强的还原剂是（）。（φθ（Cu2+/Cu）=0.3419V，φθ（Fe3+/Fe2+）=0.771V，φθ（Sn4+/Sn2+）=0.151V，φθ（Cl2/Cl-）=1.358V）ACl2BCuCFe2+DSn2+
单选题EPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性？（ ）ANa＋、K＋、Cl-，尤其是Cl-BNa＋、K＋、Cl-，尤其是Na＋CNa＋、K＋、Cl-，尤其是K＋DCa2＋和K＋ENa＋、K＋、Cl-，尤其是Ca2＋