抑制性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致() A、Na+、K+、Cl-，尤其是K+B、Na+、K+、Cl-，尤其是Na+C、K+、Cl-，尤其是Cl-D、K+、Cl-，尤其是K+E、Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+
抑制性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致()
A、Na+、K+、Cl-，尤其是K+
B、Na+、K+、Cl-，尤其是Na+
C、K+、Cl-，尤其是Cl-
D、K+、Cl-，尤其是K+
E、Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+
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抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致A.Ca、K、Cl，尤其是CaB.Na、Cl、K，尤其是KC.K、Ca、Na，尤其是CaD.K、Cl，尤其是ClE.Na、K，尤其是Na
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种的离子通透性增加所致（）A．Na+、Cl-、K+，尤其是K+B．Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+C．Na+、K+，尤其是Na+D．Cl-，尤其是Cl-