简述对IGBT栅控电路的基本要求。
简述对IGBT栅控电路的基本要求。
相关考题：
GBT与场管的区别，正确的有（）A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
IGBT与场管的区别，正确的有（）A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
单选题绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。A“IGBT”B“BJT”C“GTO”D“MOSFET”