下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()。 A.GTRB.MOSFETC.IGBT
()是电压控制型电力电子器件。A.P-MOSFET、GTOB.TRIAC、GTRC.P-MOSFET、IGBTD.IGBT、SITH
电力电子器件是构成变频器的关键器件之一。下列电力电子器件中属于半控型器件的是（）A、SCRB、GTR或BJTC、MOSFETD、IGBT
不属于IGBT管特点的是（）A、IGBT管为混合器件B、驱动功率容量小C、电流等级为10A—400AD、IGBT管是一种电流型器件
下列全控型器件中开关速度最快的是（）。A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT
下列电力电子器件属于全控型器件的是（）。A、SCRB、GTOC、GTRD、MOSFETE、IGBT
下列属于单极型电压驱动型器件的是（）。A、GTRB、GTOC、MOSFETD、IGBT
下列不是复合型电力电子器件的是（）。A、GTOB、GTRC、P－MOSFETD、IGBT
电力电子器件IGBT为（）器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型
双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是IGBT。
简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
在全控型器件中，IGBT的开关速度低，开关损耗大。
在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。
电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）。A、GTRB、MOSFETC、IGBT
下列电力电子器件中不属于全控型器件的是（）。A、SCRB、GTOC、GTRD、IGBT
判断题在全控型器件中，IGBT的开关速度低，开关损耗大。A对B错
判断题轻型高压直流输电采用开通与关断均可控制的全控型电力电子器件，目前最为常用的是IGBT器件。A对B错
单选题电力电子器件IGBT为（）器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型
填空题电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
判断题双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是IGBT。A对B错