判断题在全控型器件中，IGBT的开关速度低，开关损耗大。A对B错
判断题
在全控型器件中，IGBT的开关速度低，开关损耗大。
A
对
B
错
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解析：
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在超导磁储能系统中，功率调节系统一般采用基于（）开关器件的PWM变流器，它能够在四象限快速、独立地调节有功和无功功率，具有谐波含量低、动态响应速度快等特点。A、半控型B、全控型C、不控型D、以上均不对
在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。
在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。
单选题在超导磁储能系统中，功率调节系统一般采用基于（）开关器件的PWM变流器，它能够在四象限快速、独立地调节有功和无功功率，具有谐波含量低、动态响应速度快等特点。A半控型B全控型C不控型D以上均不对
填空题在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。
单选题斩控式交流调压电路一般采用的开关器件是（）A电力二极管B机械式开关C半控型器件D全控型器件