在全控型器件中,IGBT的开关速度低,开关损耗大。

在全控型器件中,IGBT的开关速度低,开关损耗大。


相关考题:

全控器件在开关频率较高时,使器件损耗增加的主要因素是()。 A.通态损耗B.断态损耗C.开关损耗

全控器件缓冲电路的作用之一是减小开关损耗。() 此题为判断题(对,错)。

在超导磁储能系统中,功率调节系统一般采用基于()开关器件的PWM变流器,它能够在四象限快速、独立地调节有功和无功功率,具有谐波含量低、动态响应速度快等特点。A、半控型B、全控型C、不控型D、以上均不对

MOS控制晶闸管(MCT)是新型电力电子器件,它具有()特点。A、高电压B、大电流C、低通态压降D、开关速度快E、开关损耗小

GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件。

下列全控型开关器件中属于电压型驱动的有()。A、GTRB、GTOC、MOSFETD、达林顿管

下列全控型器件中开关速度最快的是()。A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT

IGBT是()型器件。A、全控B、半控

下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有()。A、GTRB、IGBTC、MOSFETD、达林顿管

下列电力电子器件属于全控型器件的是()。A、SCRB、GTOC、GTRD、MOSFETE、IGBT

斩波电路中的核心斩波开关只能是全控型器件。

比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()。A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT

斩控式交流调压电路一般采用的开关器件是()A、电力二极管B、机械式开关C、半控型器件D、全控型器件

在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。

IGBT是电压型驱动的全控型开关器件。

下列电力电子器件中不属于全控型器件的是()。A、SCRB、GTOC、GTRD、IGBT

判断题在全控型器件中,IGBT的开关速度低,开关损耗大。A对B错

单选题IGBT是()型器件。A全控B半控

判断题轻型高压直流输电采用开通与关断均可控制的全控型电力电子器件,目前最为常用的是IGBT器件。A对B错

单选题在超导磁储能系统中,功率调节系统一般采用基于()开关器件的PWM变流器,它能够在四象限快速、独立地调节有功和无功功率,具有谐波含量低、动态响应速度快等特点。A半控型B全控型C不控型D以上均不对

单选题下列全控型器件中开关速度最快的是()。AGTOBGTRCMOSFETDIGBT

多选题绝缘栅双极型晶体管IGBT属于()器件。A相控型B全控型C电压控制型D复合型E双极型

问答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

填空题在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。

单选题斩控式交流调压电路一般采用的开关器件是()A电力二极管B机械式开关C半控型器件D全控型器件