在全控型器件中,IGBT的开关速度低,开关损耗大。
在全控型器件中,IGBT的开关速度低,开关损耗大。
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在超导磁储能系统中,功率调节系统一般采用基于()开关器件的PWM变流器,它能够在四象限快速、独立地调节有功和无功功率,具有谐波含量低、动态响应速度快等特点。A、半控型B、全控型C、不控型D、以上均不对
在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。
在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。
单选题在超导磁储能系统中,功率调节系统一般采用基于()开关器件的PWM变流器,它能够在四象限快速、独立地调节有功和无功功率,具有谐波含量低、动态响应速度快等特点。A半控型B全控型C不控型D以上均不对
填空题在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。
单选题斩控式交流调压电路一般采用的开关器件是()A电力二极管B机械式开关C半控型器件D全控型器件