IGBT的转移特性和输出特性。
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MOSFET的输出特性分为：A．MOSFET输出特性分三个区：截止区、放大区和非饱和区。B．MOSFET输出特性分三个区：截止区、放大区和饱和区。C．MOSFET的输出特性分三个区：截止区、非饱和区和饱和区。D．非饱和区以及放大区。
如下所述，GTR典型输出特性分为：A．典型输出特性分为三个区：截止区、放大区和非饱和区。B．典型输出特性分三个区：截止区、放大区和饱和区。C．典型输出特性分为三个区：截止区、线性区和非饱和区。D．非线性区和饱和区。
MOSFET的输出特性分为：A．MOSFET的输出特性分三个区：截止区、放大区和非饱和区。B．MOSFET的输出特性分三个区：截止区、放大区和饱和区。C．MOSFET的输出特性分三个区：截止区、非饱和区和饱和区。D．非饱和区以及放大区。
N沟道增强型FET的转移特性曲线有两条，转移特性曲线和漏极输出特性曲线（)。