1、画出一个P沟道MOSFET的结构示意图。假设该器件为耗尽型器件，画出其转移特性曲线和输出特性曲线示意图。

1、画出一个P沟道MOSFET的结构示意图。假设该器件为耗尽型器件，画出其转移特性曲线和输出特性曲线示意图。

参考答案和解析
P沟道耗尽型MOS管的结构示意图如下图(a)所示，N型半导体硅为衬底，两P + 区分别作为源极和漏极。制造时，在二氧化硅绝缘层中掺入了大量的负离子，由于负离子的作用，使漏源间的N型衬底表面在u GS =0时已感应出P型反型层，形成导电沟道。它的电路符号如图(b)所示。

相关考题：

按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?( ) A、耗尽型B、增强型C、P沟道D、N沟道
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()是电压控制型电力电子器件。A.P-MOSFET、GTOB.TRIAC、GTRC.P-MOSFET、IGBTD.IGBT、SITH
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下列全控器件中,属于电流控制型的器件是( )。 A.SITB.GTRC.IGBTD.P-MOSFET
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电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
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请分别画出问题1中三种转换方式的示意图。
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光传送网从垂直方向上可以分为哪三层功能结构？并请画出该功能层次结构的示意图。
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画出硫离子、镁离子、氯离子结构示意图．
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请画出同期合闸回路示意图。
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绘图题：画出空气擦洗滤池结构示意图。
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画出反渗透处理的典型系统示意图。
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绘图题：画出混凝沉淀池结构示意图。
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画出再热循环设备系统示意图。
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画出一个电源供电的简单电力系统示意图。
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请画出多集中器采集示意图。
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扫频仪可以产生等幅的连续频率信号，通过放大器件后，在屏幕上显示连续的输出特性曲线。
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电子元器件可以划分为两大类：一类称为线性元器件，另一类称为非线性元器件.分类标准是根据它们的（）A、频率特性曲线；B、耐压特性曲线；C、伏安特性曲线；D、温度特性曲线
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下列选项中，（）不是P-MOSFET的一般特性。A、转移特性B、输出特性C、开关特性D、欧姆定律
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以接收概率为横坐标，为质量水平纵坐标画出的曲线，称为抽检特性曲线或抽查特性曲线。（）
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OC曲线是（）A、以质量水平为横坐标，Pa为纵坐标画出的曲线B、不同于抽检特性曲线或抽查特性曲线C、以质量水平为纵坐标，Pa为横坐标画出的曲线
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场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。
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石英晶体有哪几种谐振频率？画出其阻抗频率特性曲线？
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电力电子器件P-MOSFET为（）器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型
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CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
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多选题电力电子器件P-MOSFET为（）器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型
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单选题OC曲线是（）A以质量水平为横坐标，Pa为纵坐标画出的曲线B不同于抽检特性曲线或抽查特性曲线C以质量水平为纵坐标，Pa为横坐标画出的曲线
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多选题下列说法错误的是（）。A对现有的构件组合图，通过观察了解、拆卸测量，画出其装配示意图、零件草图，最后画出装配图和零件工作图的过程称为零件图的测绘B对现有的构件组合图，通过观察了解、拆卸测量，画出其装配示意图、零件草图，最后画出装配图和零件工作图的过程称为构件图的测绘C对现有的构件组合图，通过观察了解、拆卸测量，画出其装配示意图、零件草图，最后画出装配图和零件工作图的过程称为画正式装配图D对现有的构件组合图，通过观察了解、拆卸测量，画出其装配示意图、零件草图，最后画出装配图和零件工作图的过程称为构件组合图的测绘
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判断题以质量水平为横坐标，为接收概率纵坐标画出的曲线，称为抽检特性曲线或抽查特性曲线。（）A对B错
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