关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是A.突触后膜对Ca、K通透性增大B.突触后膜出现超极化C.突触后膜极化D.突触前轴突末梢超极化E.突触后膜出现复极化
关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是
A.突触后膜对Ca、K通透性增大
B.突触后膜出现超极化
C.突触后膜极化
D.突触前轴突末梢超极化
E.突触后膜出现复极化
B.突触后膜出现超极化
C.突触后膜极化
D.突触前轴突末梢超极化
E.突触后膜出现复极化
参考解析
解析:
相关考题:
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB 下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致
多选题下列有关突触前抑制的叙述,正确的是:()A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP(兴奋性突触后电位)幅度减小E引起突触后膜产生IPSP(抑制性突触后电位)幅度增大
单选题关于棘慢复合波的产生机制,正确的是( )。A棘波、慢波是由兴奋性突触后电位构成B棘波、慢波是由抑制性突触后电位构成C棘波是由抑制性突触后电位构成,慢波是由兴奋性突触后电位构成D棘波是由兴奋性突触后电位构成,慢波是由抑制性突触后电位构成E棘波、慢波是由突触前电位构成
单选题可产生抑制性突触后电位的离子基础是()AK+BH+CCa2+DCl-ENa+