单选题对于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()A突触前轴突末梢超极化B对Ca2+、K+通透性增大C突触后膜出现超极化D突触后膜去极化E突触前膜去极化

单选题
对于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()
A

突触前轴突末梢超极化

B

对Ca2+、K+通透性增大

C

突触后膜出现超极化

D

突触后膜去极化

E

突触前膜去极化


参考解析

解析: 暂无解析

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请简要说明抑制性突触后电位是怎样产生的?

关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()。A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大B.突触后膜去极化C.突触后膜出现超极化D.突触后膜出现复极化E.以上都不是

下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A、是局部去极化电位B、具有"全或无"性质C、是局部超极化电位D、由突触前膜递质释放量减少所致E、是局部去极化电位

膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位( )。

可产生抑制性突触后电位的离子基础是A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl-E.H+

对于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是A.突触前轴突末梢超极化B.对Ca2+、K+通透性增大C.突触后膜出现超极化D.突触后膜去极化E.突触前膜去极化

产生抑制性突触后电位的主要离子基础是A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl-E.Mg2+

产生抑制性突触后电位的主要离子基础是( )。

下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB 下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致

A.KB.NaC.CaD.ClE.H可产生抑制性突触后电位的离子基础是

关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是( )。A.B.突触后膜去极化C.突触后膜出现超极化D.突触后膜出现复极化E.以上都不是

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对( )的通透性增加所致。

试述兴奋性与抑制性突触后电位的作用与产生原理。

关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()。A、突触前轴突末梢超极化B、对Ca2+、K+通透性增大C、突触后膜出现超极化D、突触后膜去极化E、突触后膜出现复极化

对于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()A、突触前轴突末梢超极化B、对Ca2+、K+通透性增大C、突触后膜出现超极化D、突触后膜去极化E、突触前膜去极化

单选题下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是()A是局部去极化电位B具有全或无性质C是局部超极化电位D由突触前膜递质释放量减少所致E是局部去极化电位

多选题下列有关突触前抑制的叙述,正确的是:()A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP(兴奋性突触后电位)幅度减小E引起突触后膜产生IPSP(抑制性突触后电位)幅度增大

单选题关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()。A突触前轴突末梢超极化B对Ca2+、K+通透性增大C突触后膜出现超极化D突触后膜去极化E突触后膜出现复极化

单选题关于棘慢复合波的产生机制,正确的是(  )。A棘波、慢波是由兴奋性突触后电位构成B棘波、慢波是由抑制性突触后电位构成C棘波是由抑制性突触后电位构成,慢波是由兴奋性突触后电位构成D棘波是由兴奋性突触后电位构成,慢波是由抑制性突触后电位构成E棘波、慢波是由突触前电位构成

单选题可产生抑制性突触后电位的离子基础是()AK+BH+CCa2+DCl-ENa+

问答题试述兴奋性与抑制性突触后电位的作用与产生原理。