若在四价的本征半导体中掺入五价的元素，即可构成×××型半导体。
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
N型半导体是指在本征半导体中加入微量五价元素所形成的半导体，那么，P型半导体是指在本征半导体中加入微量（）价元素所形成的半导体。A、二B、三C、四D、五
对于P型半导体来说，下列说法正确的是：（）。A、在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的；B、它的载流子是空穴；C、它对外呈现正电；D、它的多数载流子是空穴。
P型半导体是本征硅（Si）内掺入微量的五价元素磷（P）制成的。
本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
若在四价元素半导体中掺入五价元素原子，则可构成（）型半导体，参与导电的多数载流子是（）。
在硅（或锗）本征半导体中掺入微量的（）元素，就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体，即n型半导体。A、三价B、四价C、五价
N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。
在本征硅（或锗）中掺入微量的（）价元素，便可形成N型半导体。A、五B、四C、三D、二
在本征半导体内掺入微量的3价元素，可形成（）型杂质半导体。其中的多子是（）
本征半导体中如果掺入微量的五价元素，即可形成N型半导体。
本征半导体掺入微量的（）元素，则形成P型半导体，其多子为（），少子为（）。
本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是（）。
本征半导体掺入微量的三价元素形成的是（）型半导体，其多子为（）。
在本征半导体中掺入微量的（）等元素杂质时的半导体，称为P型半导体。A、5价元素B、3价元素C、1价元素
在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是（）型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）；若在本征半导体中掺入少量的五价元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
在本征半导体中掺入微量五价元素可得到（）型杂质半导体，在本征半导体中掺入微量三价元素可得到（）型杂质半导体。
在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。A、二B、三C、四D、五
N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。
在硅或锗本征半导体中掺入微量（）就可得到P型半导体。A、二价元素B、三价元素C、四价元素D、五价元素
在本征半导体中掺入微量的（）时的半导体，称为N型半导体。A、5价元素B、3价元素C、1价元素
在纯净的半导体中掺入微量的五价元素就成为（）型半导体，其中（）是多数载流子。
在纯净的半导体中掺入微量的三价元素就成为（）型半导体，其中（）是多数载流子。
单选题在硅（或锗）本征半导体中掺入微量的（）元素，就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体，即n型半导体。A三价B四价C五价
单选题在硅或锗本征半导体中掺入微量（）就可得到P型半导体。A二价元素B三价元素C四价元素D五价元素
填空题本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。