填空题N型半导体是在硅晶片上掺入少量的()而形成的,其多数载流子是()。

填空题
N型半导体是在硅晶片上掺入少量的()而形成的,其多数载流子是()。

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本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

在N型半导体中()是多数载流子,()是少数载流子。

对于P型半导体来说,下列说法正确的是:()。A、在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的;B、它的载流子是空穴;C、它对外呈现正电;D、它的多数载流子是空穴。

本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

在N型半导体中,()是多数载流子。A、空穴B、硅C、电子D、锗

N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

关于N型半导体的下列说法,错误的是:()A、自由电了是多数载流子B、在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C、在纯净的硅晶体中三价元素硼,可形成N型半导体D、在PNP型晶体管中,基区是N型半导体

n型半导体是在Si、Ge等四价元素中掺入少量(),p型半导体是在在四价元素Si、Ge等中掺入少量()在价带附近形成掺杂的能级。

N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的()价元素组成的。这种半导体的多数载流子为(),少数载流子为()。不能移动的杂质离子带()电。

在N型杂质半导体中,多数载流子是(),少数载流子是()。

N型半导体的多数载流子是(),少数载流子是()。

P型半导体中的多数载流子是(),N型半导体中的多数载流子是电子。

半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。

本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成P型半导体,其多数载流子是()。

本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是();若掺入微量的三价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是()。

N型半导体也称为()半导体,其多数载流子是(),主要靠()导电;P型半导体也称为()半导体,其多数载流子是(),主要靠()导电。

在本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是()型掺杂半导体,其中多数的载流子是();若在本征半导体中掺入少量的五价元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

对半导体而言,其正确的说法是()A、P型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子

N型半导体中多数载流子是(),P型半导体中多数载流子是()。

N型半导体是在半征半导体中掺入()元素,其多数载流子是(),少数载流子()。

在纯净的半导体中掺入微量的五价元素就成为()型半导体,其中()是多数载流子。

在N型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。

N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

填空题P型半导体是在硅晶体中渗入()形成的,其多数载流子是()。

填空题本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

单选题关于N型半导体的下列说法,错误的是()。A自由电了是多数载流子B在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C在纯净的硅晶体中加入三价元素硼,可形成N型半导体D在PNP型晶体管中,基区是N型半导体

填空题在硅晶体中掺入少量磷,则形成()半导体,其少数载流子为()。