在硬件设计时，选用集成度高的元器件来替代分立元件或集成度低的器件可以降低系统的复杂度，提高抗干扰能力，降低故障率。

在硬件设计时，选用集成度高的元器件来替代分立元件或集成度低的器件可以降低系统的复杂度，提高抗干扰能力，降低故障率。

相关考题：

采用并联模型可以提高产品的任务可靠性，但会( )产品的基本可靠性，同时( )产品的重量、体积、复杂度、费用及设计时间。A.提高，增加B.降低，增加C.提高，降低D.降低，降低
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小型元件焊接中,一般要用镊子夹持元器件,这耐镊子还起着()作用 A、降低焊接点温度B、帮助元器件散热C、提高焊接质量
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通过提高元器件的质量、采用冗余设计、进行预防性维护、增设抗干扰装置等措施，提高硬件的可靠性。()
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和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是( )。A．集成度低，存取周期快，位平均功耗大B．集成度低，存取周期慢，位平均功耗小C．集成度高，存取周期快，位平均功耗小D．集成度高，存取周期慢，位平均功耗大
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当电子元器件和集成电路上吸附尘埃过多时,将会降低其散热能力;当元器件内落入导电尘埃后,会使元器件间的绝缘性能降低,严重时会造成()。 A.温度过高B.温度降低C.腐蚀D.短路
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HTL与非门与TTL与非门相比（）A、HTL比TTL集成度高B、HTL比TTL作速度快C、HTL比TTL抗干扰能力强
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集成度在200只--1000只元件的是（）。
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应用MEMS技术研制的元器件和传感器，尺寸越小，集成度越高，性能越好。
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提高纵向集成度的益处。
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动态ram的特点包括（）A、集成度高，价格高B、集成度地，价格便宜C、集成度高，价格便宜D、集成度地，价格高
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增加集成度在简化的路径包括增加集成度、（）、双系统与多系统和（）。
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采用并联模型可以提高产品的任务可靠性，但会（）产品的基本可靠性，同时（）产品的重量、体积、复杂度、费用及设计时间。A、提高，增加B、降低，增加C、提高，降低D、降低，降低
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提高直流输电系统的可靠性，必须从哪几个方面着手（）A、提高元件故障率B、降低元件故障率C、缩短检修停运时间D、缩短故障停运时间
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SRAM比DRAM电路简单，集成度高，功耗低。
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RF-SIM卡是一个（）卡片系统A、普通B、高集成度C、低集成度D、非通讯型
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在计算机发展的历史中，我们可以看到（）是错误的。A、性价比基本稳定B、体积越来越小，耗电量越来越少C、功能越来越丰富D、主要元器件的集成度越来越高
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当电子元器件和集成电路上吸附尘埃过多时，将会降低其散热能力；当元器件内落入导电尘埃后，会使元器件间的绝缘性能降低，严重时会造成（）。A、温度过高B、温度降低C、腐蚀D、短路
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斩波器中若用电力场效应管，应该（）的要求。A、提高对滤波元器件B、降低对滤波元器件C、提高对管子耐压D、降低对管子耐压
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表面装配元器件同传统的元器件一样，也可以分为无源元件（SMD），有源元件（SMC）。（）
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（）不属于静电对电子元器件的三种影响。A、吸引或排斥B、静电吸附灰尘，降低元器件绝缘电阻C、静电放电破坏，使元件受损不能工作D、ESD产生的电磁场幅度很大频谱极宽，对电子器件造成干扰甚至破坏
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提高机械设备的有效度可通过降低它的故障率或降低它的修复率来实现。
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下列说法错误的是（）。 A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低
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HTL与TTL与非门相比，具有（）的特点。A、HTL比TTL集成度高B、HTL比TTL运行速度大C、HTL比TTL抗干扰能力强D、各种性能都一样
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判断题通过提高元器件的质量、采用冗余设计、进行预防性维护、增设抗干扰装置等措施，提高硬件的可靠性。A对B错
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单选题下列关于元器件布局的说法中，错误的是（）。A可以将元器件以任意旋转角度（比如0.5°）放置B元件可以放置在对应的Room外C元器件边框可以放置到PCB边界以外D元件既可以放置在顶层，也可以放置在底层
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填空题增加集成度在简化的路径包括增加集成度、（）、双系统与多系统和（）。
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单选题当电子元器件和集成电路上吸附尘埃过多时，将会降低其散热能力；当元器件内落入导电尘埃后，会使元器件间的绝缘性能降低，严重时会造成（）。A温度过高B温度降低C腐蚀D短路
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