和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是( )。A．集成度低，存取周期快，位平均功耗大B．集成度低，存取周期慢，位平均功耗小C．集成度高，存取周期快，位平均功耗小D．集成度高，存取周期慢，位平均功耗大
和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是( )。
A．集成度低，存取周期快，位平均功耗大
B．集成度低，存取周期慢，位平均功耗小
C．集成度高，存取周期快，位平均功耗小
D．集成度高，存取周期慢，位平均功耗大
相关考题：
下面关于存储器的叙述中，错误的是（）。A.DDR SDRAM中的DDR是指双倍数据速率B.DDR2 SDRAM可预读取2位数据C.磁性随机存取存储器MRAM是一种非易失性存储器，拥有SRAM的高速存取能力，以及DRAM的高集成度D.铁电存储器FRAM既具有只读存储器非易失性的特点，又具有随机存储器可快速随机读写的特点，而且速度快，功耗低
下列关于动态存储器芯片的叙述正确的是（）。 A、稳定性好，操作速度快 B、集成度高便于制成大容量存储器芯片，功耗低 C、稳定性差，但操作速度快 D、功耗低，操作速度快A．AB．BC．CD．D
8、半导体存储器按存取功能分有静态存储器和动态存储器2种。