下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()。 A.GTRB.MOSFETC.IGBT
下列各项中不是离子选择电极基本组成的有A、电极管B、内参比电极C、外参比电极D、内参比溶液E、敏感膜
绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。 A.发射极，基极，集电极；B.发射极，栅极，集电极；C.源极，栅极，漏极；D.阴极，门极，阳极。
GTR为电流型控制器件,用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件,用栅极电压来控制漏极电流。因此,其对驱动电路的要求不同。
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是以场效应晶体管作为基极，以（）作为发射与集电极复合而成。
IGBT与场管的区别，正确的有（）A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
不属于IGBT管特点的是（）A、IGBT管为混合器件B、驱动功率容量小C、电流等级为10A—400AD、IGBT管是一种电流型器件
IGBT器件具有（）。A、门极B、阳极C、发射极D、集电极
下列全控型器件中开关速度最快的是（）。A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT
下列属于单极型电压驱动型器件的是（）。A、GTRB、GTOC、MOSFETD、IGBT
下列不是复合型电力电子器件的是（）。A、GTOB、GTRC、P－MOSFETD、IGBT
IGBT是三端器件，三个引出电极分别是（）极、集电极和发射极。
IGBT是三端器件，三个引出电极分别是栅极、（）极和发射极。
IGBT的3个引出电极分别是（）A、阳极、阴极、门极B、阳极、阴极 栅极C、栅极、源极 漏极D、发射极、栅极、集电极
绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表（）。A、集电极B、栅极C、发射极D、门极
IGBT是全控型晶体管的一种，它的三端器件是（）A、阳极、漏极、集电极B、栅极、集电极、发射极C、阴极、漏极、集电极D、阴极、栅极、集电极
下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）。A、GTRB、MOSFETC、IGBT
多选题IGBT器件具有（）。A门极B阳极C发射极D集电极
填空题IGBT是三端器件，三个引出电极分别是栅极、（）极和发射极。
单选题下列哪种电极不是在实际使用中常常采用的二级参比电极（）A饱和甘汞电极（SCE）B氢标准电极（SHE）C银－氯化银电极D饱和硫酸铜电极
单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。AGTO和GTR；BTRIAC和IGBT；CMOSFET和IGBT；DSCR和MOSFET；
单选题IGBT的3个引出电极分别是（）A阳极、阴极、门极B阳极、阴极 栅极C栅极、源极 漏极D发射极、栅极、集电极
填空题IGBT是三端器件，三个引出电极分别是（）极、集电极和发射极。
单选题下列各项中不是离子选择电极基本组成的有（）。A电极管B内参比电极C外参比电极D内参比溶液E敏感膜
单选题下列不是IGBT的电极是（）。AGBCCEDB