半导体三极管是()控制器件,场效应管是()控制器件。 A、电流B、电压C、电阻D、频率
下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()。 A.GTRB.MOSFETC.IGBT
半导体三极管是一种()。 A.电压控制电压的器件B.电压控制电流的器件C.电流控制电流的器件D.电流控制电压的器件
下列全控器件中,属于电流控制型的器件是( )。 A.SITB.GTRC.IGBTD.P-MOSFET
GTR为电流型控制器件,用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件,用栅极电压来控制漏极电流。因此,其对驱动电路的要求不同。
下列大功率半导体器件中的()是全控型器件,但不是电流型器件。 A、GTRB、SCRC、IGBTD、GTO
整流电路主要是利用（）实现的。A、半导体器件的单向导电性B、半导体器件的电容效应C、半导体器件的击穿特性D、半导体器件的温度敏感性
半导体三极管是一种（）。A、电压控制电压的器件B、电压控制电流的器件C、电流控制电流的器件D、电流控制电压的器件
下列全控型开关器件属于电流型驱动的有（）。A、IGBTB、GTOC、MOSFETD、SITH
在射频电路分析中，能产生信号频率以外的新频率分量的元器件属于有源元器件，可能成为形成干扰的重要环节。下列元器件中属于有源元器件的有（）A、半导体三极管B、可调电感器C、电阻假负载D、晶体滤波器
控制和保护含半导体器件的直流电路中宜选用（）断路器。A、塑壳式B、限流型C、框架式D、直流快速断路器
MOSFET晶体管属于（）器件。A、电流型控制B、电压型控制C、功率型控制D、P0004
晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。
下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有（）。A、GTRB、IGBTC、MOSFETD、达林顿管E、GOT（GTO）
场效应管属于（）控制型器件，而半导体三极管则可以认为是（）控制型器件。A、电阻B、电压C、电容D、电流E、电功F、电导
半导体三极管是一种（）。A、电压控制电压的器件B、电压控制电流的器件C、电流控制电流的器件
普通晶闸管属于（）。A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、电流型器件
下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有（）。A、GTRB、IGBTC、MOSFETD、达林顿管
半导体三极管属（）控制器件，而场效应管属（）控制器件。
半导体三极管属于（）控制器件，而场效应管属于（）控制器件。
下列为电力电子电流型控制器件的是（）。A、GTOB、GTRC、P－MOSFETD、SCR
电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
光发射机中的重要器件是能够完成光-电转换的半导体光源。
多选题普通晶闸管属于（）。A全控型器件B半控型器件C不控型器件D电流型器件
多选题下列为电力电子电流型控制器件的是（）。AGTOBGTRCP－MOSFETDSCR
填空题电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。