IGBT是指()。

IGBT是指()。


相关考题:

IGBT斩波调速是通过改变IGBT导通和关断时间的比值调节电机平均电压,调速过程中能量损耗极小。() 此题为判断题(对,错)。

SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。 A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE

IGBT是电流控制型器件。()

IGBT的反向耐压较低,目前,IGBT模块总是将二极管同IGBT()封装在一起。A、串联B、并联C、反并联D、以上选项都不正确

简述IGBT的特点。

变流器IGBT故障的触发条件是主控发出变流启动信号,变流器IGBT OK信号丢失持续()ms,报此故障.

双馈风机变频器并网前必须完成的项目不包括()。A、直流预充电B、转矩加载C、网侧IGBT调制D、转子侧IGBT调制

双馈风机变频器并网前必须完成的项目包括()A、直流预充电B、转矩加载C、网侧IGBT调制D、转子侧IGBT调制

可关断晶闸管的英语缩写是()。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”

IGBT是()的复合管。A、GTRB、SCRC、MOSFETD、RTD

GBT与场管的区别,正确的有()A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路,场管适合200KHZ以下的逆变电路

IGBT是()和()的复合管。A、GTOB、GTRC、P-MOSFETD、PD

说明IGBT的结构组成特点。

()简称IGBT。

IGBT与场管的区别,正确的有()A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路,场管适合200KHZ以下的逆变电路

不属于IGBT管特点的是()A、IGBT管为混合器件B、驱动功率容量小C、电流等级为10A—400AD、IGBT管是一种电流型器件

为防止IGBT的误导通,通常在正向驱动脉冲以外的时刻对IGBT的栅极施加关断负偏压,例如电车直流机组用的IGBT所选择的负偏压数值为-24V。

IGBT的主体部分与GTR类似,控制部分与场效应管类似,下面属于IGBT具有的优点的有()A、电磁噪音很小B、电流波形大为改善,电机的转矩增大C、IGBT管二次击穿现象小D、最大管子容量比GTO管大的多

IGBT是()型器件。A、全控B、半控

什么是绝缘栅双极晶体管(IGBT)?它有什么特点?

IGBT有哪些突出优点?

判断题为防止IGBT的误导通,通常在正向驱动脉冲以外的时刻对IGBT的栅极施加关断负偏压,如电车直流机组用的IGBT所选择的负偏压数值为-24V。A对B错

填空题电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中,哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件()。AGTO和GTR;BTRIAC和IGBT;CMOSFET和IGBT;DSCR和MOSFET;

填空题静止逆变器的IGBT元件的容量是().

填空题变流器IGBT故障的触发条件是主控发出变流启动信号,变流器IGBT OK信号丢失持续()ms,报此故障.