问答题GTR、P-MOSFET、IGBT使用中，电流定额选择中各要注意什么？
问答题
GTR、P-MOSFET、IGBT使用中，电流定额选择中各要注意什么？
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SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。 A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE
IGBT的主体部分与GTR类似，控制部分与场效应管类似，下面属于IGBT具有的优点的有（）A、电磁噪音很小B、电流波形大为改善，电机的转矩增大C、IGBT管二次击穿现象小D、最大管子容量比GTO管大的多
在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。
单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。AGTO和GTR；BTRIAC和IGBT；CMOSFET和IGBT；DSCR和MOSFET；
填空题在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。