PN结中载流子的漂移运动是由于（）而产生的。

PN结中载流子的漂移运动是由于（）而产生的。

相关考题：

PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。 A、多数载流子扩散而成B、多数载流子漂移而成C、少数载流子扩散而成D、少数载流子漂移而成
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PN结加正向电压时,()。A、扩散运动大于漂移运动B、扩散运动小于漂移运动C、扩散运动与漂移运动平衡D、没有运动
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当PN结两端加正向电压时,在PN结内参加导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
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漂移电流是少数载流子在PN结内电场作用下定向移动形成的。() 此题为判断题(对，错)。
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PN结中的内电场促进少数载流子的扩散运动。此题为判断题(对，错)。
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P型半导体和N型半导体结合后便形成PN结，PN结中存在着（）种载流子的运动。A4B3C2D1
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PN结中存在着（）种载流子的运动。A、4B、3C、2D、1
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PN宽度稳定后，（）。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运行达到动态平衡D、只有少数载流子的漂移运动
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PN结的宽度稳定后（）。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运动达到动态平衡
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PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）A、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
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PN结稳定以后，扩散运动和漂移运动就完全停止了。
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PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。
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PN结正偏时，有利于（）载流子的运动，阻碍（）载流子的运行。
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半导体中的漂移运动是由于载流子（）而引起的。
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PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的（）运动和少数载流子的（）运动。
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PN结反偏时，内电场与外电场的方向（），空间电荷区变（），有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻大，PN结处于截止状态。
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在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于（）而产生的，漂移运动是（）作用下产生的。
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在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是（）作用下产生的，漂移运动是（）作用下产生的。
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载流子的扩散运动产生扩散电流，漂移运动产生（）电流。A、漂移B、隧道C、扩散
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PN结反向漏电流是由（）产生的。A、电子B、空穴C、少数载流子D、多数载流子
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在NP结处发生多数载流子扩散运行，少数载流子漂移运动，结果形成了空间电荷区。
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单选题载流子的扩散运动产生扩散电流，漂移运动产生（）电流。A漂移B隧道C扩散
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填空题载流子在PN结中运动方式有（）、（）。
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填空题发光二极管是（）载流子在PN结区注入与复合而产生发光的半导体光源。
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填空题PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。
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单选题PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）A载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散B载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移C载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散D载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
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填空题PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向（），有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移。
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