下列电路中属于线性高频电路的是()。A.乘法器B.包络检波器C.变频电路D.小信号谐振放大器
下列电路中属于线性高频电路的是()。A.宽频带放大器B.小信号谐振放大器C.高频功率放大器D.宽频带放大器与高频功率放大器
晶体管的交流小信号电路模型是不能用来分析放大电路中交流分量的。()
MOS集成门电路是绝缘栅场效应管组成的集成电路。() 此题为判断题(对，错)。
结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。() 此题为判断题(对，错)。
双栅MOS场效应管因为反馈电容比常规（单栅）MOS场效应管低两个数量级，因而能在甚高频率和超高范围内稳定地工作。
晶体管延时电路可采用单结晶体管延时电路、不对称双稳态电路的延时电路及MOS型场效应管延时电路三种来实现。
超高频调谐器要求高输入阻抗，低噪声系数以及大动态工作范围，为此，常选用（）担当高频放大器A、高频晶体管B、MOS场效应管C、低噪声晶体管D、大功率晶体管
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
下列电路中属于非线性高频电路的是（）A、宽频带放大器B、小信号放大器C、高频功率放大器D、宽频带放大器和高频功率放大器
下列电路中属于线性高频电路的是（）A、乘法器B、包络检波器C、变频电路D、小信号谐振放大器
（）具有不同的低频小信号电路模型。A、NPN型管和PNP型管B、增强型场效应管和耗尽型场效应管C、N沟道场效应管和P沟道场效应管D、晶体管和场效应管
MOS场效应管的输入电阻比J型场效应管的输入电阻（）得多。
衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
h参数等效电路法较适于解决的问题是（）。A、输入输出均为小信号时电路的交流性能B、输出为大信号时的幅值与形C、输入为高频信号时的情况D、输入为低频信号时的情况
输入（）时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。A、正弦小信号B、低频大信号C、低频小信号D、高频小信号
小信号微变等效电路模型对放大电路进行交流分析时输入信号要求（）A、正弦信号B、低频大信号C、低频小信号D、高频小信号
CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。
开关量的信号隔离，主要采用哪种方式（）。A、三极管方式B、MOS场效应管C、光电耦合D、A、B、C、均不对
问答题1）试比较射频场效应管与射频双极型晶体管结构和特性上的差异。 2）试讨论晶体管小信号模型和大信号模型的主要区别。请问能否使用晶体管大信号模型分析射频小信号。
问答题晶体管低频小信号放大器与高频小信号放大器的分析方法有什么不同？高频小信号放大器能否用静态特性曲线来分析，为什么？
判断题CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。A对B错
多选题场效应管MOSF、E、T的驱动方式有（）A用TTL驱动B用C、MOS电路驱动C线性互补电路驱动D变压器耦合驱动