vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。 A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管
结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
一个MOS管当栅极与漏极短接时,该MOS管可以作为()。A、二极管B、负载电容C、负载电感D、有源负载
单极型集成电路不包含().A、普通晶体管(NPN管或PNP管)B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS(即CMOS)
MOS管是一种()。A、电压控制元件B、电流控制元件
静态RAM的基本存储电路,是由6个MOS管组成的()来存储信息的;动态RAM芯片是以MOS管栅极()是否充有电荷来存储信息的。
一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电流型驱动器件。
结型场效应管的类型有()。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
场效应管的类型有()。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有()。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管
某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自源极流出,大小为8mA,则该管是()A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
当UGS=0时,()管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管
IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电压型驱动器件。
CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。
CMOS反相器基本电路包括()A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
判断题一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电流型驱动器件。A对B错
多选题关于高宽长比MOS管的版图,下列说法正确的是()A高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。B高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。C高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。D高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。
单选题MOS管是一种()。A电压控制元件B电流控制元件
判断题IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点,属电流型驱动器件。A对B错