本征半导体温度升高后，两种载流子浓度不再相等。()
下列物质中载流子最多的是()。A.本征半导体B.掺杂半导体C.导体D.绝缘体
在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。 A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度
本征半导体的载流子包括自由电子和空穴σ=n︱e︱μe+P︱e︱μh（）
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
对于P型半导体来说，下列说法正确的是：（）。A、在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的；B、它的载流子是空穴；C、它对外呈现正电；D、它的多数载流子是空穴。
本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。
P型半导体的多子为（）、N型半导体的多子为（）、本征半导体的载流子为（）。
本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是（）。
本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）；若掺入微量的三价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）。
在本征半导体中，因为有自由电子和空穴两种载流子，所以其导电能力很强。
在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是（）型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）；若在本征半导体中掺入少量的五价元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
半导体中有（）和（）两种载流子，在本征半导体中掺着（）阶元素，可形成P型半导体。
本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
温度升高，本征载流子浓度（）；杂质半导体中少子浓度（），多子浓度（）
N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。
半导体中有（）和（）两种载流子。本征半导体的导电能力取决于（），杂质半导体的导电能力主要取决于（）
本征半导体与金属导电机理的最大区别在于半导体同时存在二种载流子。
温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。
下列物质中载流子最多的是（）。A、本征半导体B、掺杂半导体C、导体D、绝缘体
本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
填空题本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。