本征半导体参与导电通常有()种载流子。

本征半导体参与导电通常有()种载流子。


相关考题:

8、本征半导体中没有载流子,因而不能导电。

本征半导体中没有载流子,因而不能导电。

本征半导体的本征激发使得自由电子与空穴成对出现,而复合又使得自由电子与空穴成对消失,所以整体而言,本征半导体内部无可以参与导电的载流子。

4、关于半导体的说法,错误的是()。A.半导体常态下不导电, 掺杂、受热、光照增强导电能力。B.本征半导体在热激发后会出现大量自由电子和空穴对,参与导电。C.杂质半导体的导电性能取决于多数载流子。D.N型半导体的多子是自由电子。

70、本征半导体有自由电子和空穴两种载流子参与导电。

2、以下关于本征电导描述错误的是A.本质电导是指导带中的电子导电和价带中的空穴导电同时存在B.本征导电的载流子电子和空穴的浓度不等C.本征电导的载流子不一定全部是由半导体晶格本身提供D.低温下,杂质半导体的本征电导起主要作用

下述说法中,正确的有:A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体(n或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电,所以, 本征半导体导电性能比杂质半导体好#B.n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电#C.n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去,大大提高了半导体导电性能#D.p型半导体的导电机制完全决定于满带中空穴的运动

下述说法中,正确的是A.N型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能。B.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(N型或P型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好。C.N型半导体的导电性能优于P型半导体,因为N型半导体是负电子导电,P型半导体是正离子导电。D.P型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动。

本征半导体中没有载流子,因而不导电