在N型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 此题为判断题(对，错)。
下列物质中载流子最多的是()。A.本征半导体B.掺杂半导体C.导体D.绝缘体
场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。
电导率σ=nqμ，其中n是，q是，μ是。（）A.载流子的数量，电场强度，载流子的迁移率B.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移速度C.载流子的数量，载流子的电荷量，载流子迁移速率D.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移率
对于P型半导体来说，下列说法正确的是：（）。A、在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的；B、它的载流子是空穴；C、它对外呈现正电；D、它的多数载流子是空穴。
PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。
N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子
在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
半导体中的多数载流子是由（）形成的，少数载流子是由（）产生的。
N型半导体中的多数载流子是（），少数载流子是（）。
本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.
对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）
N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。
在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。
当二极管导通后参加导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、共价键中的价电子
填空题PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。
填空题N型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（）。