下列物质中载流子最多的是()。A、本征半导体B、掺杂半导体C、导体D、绝缘体

下列物质中载流子最多的是()。

  • A、本征半导体
  • B、掺杂半导体
  • C、导体
  • D、绝缘体

相关考题:

在温度升高时,本征半导体中载流子的数量将()

本征半导体参与导电通常有()种载流子。

本征半导体的载流子是()。

下列物质中载流子最多的是()。A.本征半导体B.掺杂半导体C.导体D.绝缘体

在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。 A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度

有关半导体下列说法正确的是()。A.半导体就是一半导电,一半不导电B.是导电能力介于导体和绝缘体之间的物体C.半导体中有两种载流子,既有自由电子载流子又有空穴载流子D.半导体是制造电子元件的重要的最基本的材料

对于P型半导体来说,下列说法正确的是:()。A、在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的;B、它的载流子是空穴;C、它对外呈现正电;D、它的多数载流子是空穴。

本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

试分析、阐述导体、半导体(本征、掺杂)和绝缘体的能带结构特点。

N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的()价元素组成的。这种半导体的多数载流子为(),少数载流子为()。不能移动的杂质离子带()电。

本征半导体(纯半导体)的Eg小于掺杂质半导体

P型半导体的多子为()、N型半导体的多子为()、本征半导体的载流子为()。

半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。

本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成P型半导体,其多数载流子是()。

本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是();若掺入微量的三价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是()。

在本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是()型掺杂半导体,其中多数的载流子是();若在本征半导体中掺入少量的五价元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

半导体中有()和()两种载流子,在本征半导体中掺着()阶元素,可形成P型半导体。

本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目().

杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的?杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比,哪个大?为什么?

半导体中多数载流子的浓度是由掺杂浓度决定的

温度升高,本征载流子浓度();杂质半导体中少子浓度(),多子浓度()

杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的,少数载流子是由()产生的。

N型半导体是在半征半导体中掺入()元素,其多数载流子是(),少数载流子()。

在杂质半导体中,少数载流子的浓度取决于()A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺

本征半导体在温度T=OK和无光照时,导电能力与()很接近.A、金属B、小电阻C、绝缘体D、掺杂半导体

本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有()A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子

填空题本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。