压电材料是()材料。A.绝缘B.导体C.半导体D.电介质材料
下列薄膜中，（）是覆膜工艺中较理想的复合材料。A、PVcB、BOPPC、PED、PET
薄膜太阳能电池的半导体薄膜不能是（）。 A、多晶体B、非晶体C、砷化镓D、单晶体
下面哪一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。A、薄膜沉积B、薄膜成长C、蒸发D、溅射
在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。A、使薄膜的介电常数变大B、可能引入杂质C、可能使薄膜层间短路D、使薄膜介电常数变小E、可能使薄膜厚度增加
简述微晶硅薄膜晶体管中非晶硅薄膜上面有一层金属薄膜Mo的作用，以及工艺中需要采用的特殊技术？
霍尔传感器在实际应用中，由于半导体的固有特性和制造工艺的缺陷，造成测量中会引起（）误差和（）误差，需要对其进行补偿。
按照制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和（）集成电路。A、数字B、厚膜C、小规模D、专用
按制造工艺集成电路分为（）。A、半导体集成电路B、TTL集成电路C、厚膜集成电路D、薄膜集成电路E、CMOS集成电路
集成电路按照制造工艺可分为（）。A、半导体集成电路B、薄膜集成电路C、数字集成电路D、厚膜集成电路
（）的存储介质有别于其他移动存储器的磁介质和光介质，为半导体电介质。A、软盘B、光盘C、优盘D、硬盘
在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。A、均匀性B、表面平整度C、自由应力D、纯净度E、电容
压电材料是（）材料。A、绝缘B、导体C、半导体D、电介质材料
单选题薄膜太阳能电池的半导体薄膜不能是（）。A多晶体B非晶体C砷化镓D单晶体
填空题在挤出吹塑薄膜成型中，按照薄膜的牵引方向不同，挤出吹塑薄膜生产工艺可以分为（）、（）和（）。
填空题霍尔传感器在实际应用中，由于半导体的固有特性和制造工艺的缺陷，造成测量中会引起（）误差和（）误差，需要对其进行补偿。
问答题Si3N4材料在半导体工艺中能否用作层间介质，为什么？请举两例说明Si3N4在集成电路工艺中的应用。
判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对B错
单选题关于P、N型半导体内参与导电的介质，下列说法最为合适的是（）。A自由电子、空穴、位于晶格上的离子B无论P型还是N型半导体，自由电子、空穴都是导电介质C对于P型半导体，空穴是唯一的导电介质D对于N型半导体，空穴是唯一的导电介质
问答题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
单选题（）的存储介质有别于其他移动存储器的磁介质和光介质，为半导体电介质。A软盘B光盘C优盘D硬盘