绝缘栅双极型晶体管是一种双导通机制的复合器件。() 此题为判断题(对，错)。
单结晶体管三个电极分别为()。A.发射极，基极，集电极B.第一基极，发射极，第二基极C.源极，栅极，漏极D.阴极，门极，阳极
绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。 A.发射极，基极，集电极；B.发射极，栅极，集电极；C.源极，栅极，漏极；D.阴极，门极，阳极。
共集电极放大电路的输入回路与输出回路以发射极作为公共连接端。
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制．A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
绝缘栅双极型晶体管（IGTR）是以（）作为基极，以（）作为发射极与集电极复合而成。
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是以场效应晶体管作为基极，以（）作为发射与集电极复合而成。
MOS管的栅极可与双极型三极管的（）相对应。A、基极B、集电极C、发射集D、发射极或集电极
MOS管的栅极与双极型三极管的相对应（）A、基极B、集电极C、发射极D、发射极或集电极
绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。
MOS管的栅极可与双极型栅极的（）相对应。A、基极B、集电极C、发射极D、发射极或集电极
绝缘栅双极型晶体管是以（）作为栅极，以（）作为发射极与集电极复合而成。
要使绝缘栅双极晶体管导通，应（）。A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压
IGBT的3个引出电极分别是（）A、阳极、阴极、门极B、阳极、阴极 栅极C、栅极、源极 漏极D、发射极、栅极、集电极
绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表（）。A、集电极B、栅极C、发射极D、门极
IGBT是全控型晶体管的一种，它的三端器件是（）A、阳极、漏极、集电极B、栅极、集电极、发射极C、阴极、漏极、集电极D、阴极、栅极、集电极
三极管在调节器中起一个电子开关的作用。它有三个极，分别为（），发射极e和集电极c之间作为开关的通路，基极作为控制极，控制e和c之间的导通与载止。A、发射极e、基极b、集电极cB、发射极e、集电极b、基极cC、集电极e、基极b、发射极cD、发射极b、集电极e、基极c
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制的。A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
将输出信号从晶体管（）引出的放大电路称为射极输出器。A、基极B、发射极C、集电极D、栅极
功率场效应管的三个引脚符号为（）A、源极S、漏极D、发射极EB、漏极D、发射极E、集电极CC、栅极G、发射极E、集电极CD、源极S、漏极D、栅极G
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管（）和发射极作为发射极与集电极复合而成。
多选题绝缘栅双极型晶体管IGBT属于（）器件。A相控型B全控型C电压控制型D复合型E双极型
单选题IGBT的3个引出电极分别是（）A阳极、阴极、门极B阳极、阴极 栅极C栅极、源极 漏极D发射极、栅极、集电极
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管集电极和（）作为发射极与集电极复合而成。
判断题绝缘栅双极型晶体管是一种双导通机制的复合器件。A对B错
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。