晶体管的基本接线方式有:()。 A.共发射极接线B.发射极-基极接线C.共基极接线D.共集电极接线
单结晶体管三个电极分别为()。A.发射极，基极，集电极B.第一基极，发射极，第二基极C.源极，栅极，漏极D.阴极，门极，阳极
单结晶体管因其发射极和基极个数,也被称为()。 A、双基极二极管B、双发射极二极管C、双基极三极管D、双发射极三极管
绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。 A.发射极，基极，集电极；B.发射极，栅极，集电极；C.源极，栅极，漏极；D.阴极，门极，阳极。
绝缘栅双极型晶体管的简称是()。A、PowerMOSFETB、GTRC、GTOD、IGBT
绝缘栅双极型晶体管简称( )。A.MOSFETB.IGBTC.GTRD.GTO
晶体管散粒噪声具体表现为（）电流以及（）电流的起伏现象。A、基极，发射极B、发射极，集电极C、基极，集电极D、基极
绝缘栅双极型晶体管简称（）。A、MOSFETB、IGBTC、GTRD、GTO
共基极放大电路的输入回路与输出回路以发射极作为公共连接端。
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制．A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是以场效应晶体管作为基极，以（）作为发射与集电极复合而成。
绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。
TTL“与非”门电路是以（）为基本元件构成的。A、双极型三极管B、双极型绝缘栅C、单极型三极管D、单极型绝缘栅
绝缘栅双极型晶体管是以（）作为栅极，以（）作为发射极与集电极复合而成。
晶体管共集电极放大电路的信号是从（）A、基极输入，集电极输出B、基极输入，发射极输出C、发射极输入，集电极输出D、集电极输入，发射极输出
已知某NPN型晶体管处于放大状态，测得其三个电极的电位分别为6V、9V和6.3V，则三个电极分别为（）。A、发射极、基极和集电极B、基极、发射极和集电极C、集电极、基极和发射极
绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表（）。A、集电极B、栅极C、发射极D、门极
三极管在调节器中起一个电子开关的作用。它有三个极，分别为（），发射极e和集电极c之间作为开关的通路，基极作为控制极，控制e和c之间的导通与载止。A、发射极e、基极b、集电极cB、发射极e、集电极b、基极cC、集电极e、基极b、发射极cD、发射极b、集电极e、基极c
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制的。A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管（）和发射极作为发射极与集电极复合而成。
问答题简述绝缘栅双极型晶体管IGBT的特点是什么？
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管集电极和（）作为发射极与集电极复合而成。
填空题绝缘栅双极型晶体管是以（）作为栅极，以（）作为发射极与集电极复合而成。
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。