晶闸管有( )。A.3个PN结3个电极B.2个PN结3个电极C.l个PN结3个电极D.3个PN结2个电极
硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
硅材料PN结的结压降为（）V。A、0.3B、1C、0.7D、2
半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
PN结的单向导电性就是：加正向电压时，PN结（）；加反向电压时，PN结（）。
晶闸管有（）A、3个PN结3个电极B、2个PN结3个电极C、1个PN结3个电极D、3个PN结2个电极
硅材料的PN结压降为（）。A、0.7VB、0.3VC、1VD、2V
PN结加正向电压则：（）A、PN结变薄B、PN结变厚C、PN结不变
PN结具有（）性能，即加正向电压时，PN结（）；加反向电压时，PN结（）。
由于PN结内存在着内电场，因此在PN结两边就有电位差。下列说法正确的是（）。A、在硅材料和锗材料的PN结分别约为0.7V和0.4VB、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.9V和0.2VC、电位降落的方向和内电场方向相反D、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.5V和0.2V
用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降，硅管的正向压降一般为0.2—0.4V，锗管正向压降，一般为0.5—0.8V。（）
常温下，锗材料PN结正向导通电压为（）左右。A、0VB、0.3VC、0.7VD、1.5V
PN结具有（），即加正向电压时，PN结处于（），加反向电压时，PN结处于（）。
PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变（）；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变（）
PN结反向偏置时，PN结的内电场（）。PN具有（）特性。
硅材料电力二极管正向压降为（）A、0.3VB、0.7VC、1VD、1.5V
晶体管的PN结的正向压降为（）。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
硅PN结的正向导通电压约为（）.A、小于0.1VB、0.2~0.3VC、0.6~0.7VD、大于1V
锗管的PN结的允许温度比硅管PN结温度（）。A、高B、低C、相等D、不定
晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。A、0.2VB、0.3VC、0.5VD、0.7V
二极管是由（）构成的。A、1个PN结B、2个PN结C、3个PN结D、4个PN结
单选题双极型晶体管有（）A二个pn结B一个pn结C三个pn结D没有pn结
多选题晶体管的PN结的正向压降为（）。A锗管为0.3V左右B锗管为0.7V左右C硅管为0.3V左右D硅管为0.7V左右