问答题为什么GaAs同质结双极型晶体管的性能很难达到或超过硅基BJT的性能?

问答题
为什么GaAs同质结双极型晶体管的性能很难达到或超过硅基BJT的性能?

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BJT有三个极、三个区、三个PN结。()

硅晶体管发射结的导通电压约为(),锗晶体管发射结的导通电压约为()。

为什么硅整流发电机的低速充电性能好?

功率开关器件可以说是开关电源的心脏,下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的()。A、MOSFET功率场效应管B、IGBT绝缘栅双极晶体管C、GTR晶闸管D、BJT双极型晶体管

双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号(即驱动信号)为()。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制,场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制,场效应管为电压控制

双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为()。A、电压B、电流C、双极型为电压、场效应为电流D、双极型为电流、场效应为电压

GAAS80/580型焊机的主机不包括()装置。A、可控硅B、控制柜C、焊接变压器D、整流二极管

硅整流二极管的特性是单向导电性能。

双极型晶体管是()控制器件,单极型晶体管是()控制器件。

普通双极型晶体管是由()。A、一个PN结组成B、二个PN结组成C、三个PN结组成

通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时,仍有较大的电流放大作用。

三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极()和()之间相互关系的,它反映晶体管的性能。A、电压;电流B、电压;电阻C、电流;电阻D、电感;电阻

IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管

双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结()、集电结()。

双极型晶体管(BJT)放大偏置时,应在其发射结加()电压,在集电结加()电压。

绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是()。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”

硅二极管具有单向导电性能。

双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号()。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制,场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制,场效应晶体管为电压控制

单选题双极型晶体管有()A二个pn结B一个pn结C三个pn结D没有pn结

问答题简述四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用。

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单选题绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是()。A“IGBT”B“BJT”C“GTO”D“MOSFET”

单选题三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极()和()之间相互关系的,它反映晶体管的性能。A电压;电流B电压;电阻C电流;电阻D电感;电阻

填空题在放大模式偏置下,双极型晶体管的EB结(),CB结反向偏置。

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