单选题设计制作金属烤瓷冠基底蜡型时，在瓷和金属的结合处应做成（）A直角B锐角C斜面D凸面E凹面
单选题
设计制作金属烤瓷冠基底蜡型时，在瓷和金属的结合处应做成（）
A
直角
B
锐角
C
斜面
D
凸面
E
凹面
参考解析
解析：
暂无解析
相关考题：
金-瓷修复体中金属基底冠蜡型的要求，不正确的是A、蜡型的厚度应均匀一致B、表面应光滑无锐角C、表面呈凹陷状，利于金-瓷压缩结合D、金属衔接处应避开咬合功能区，防止瓷裂E、蜡型厚度应保证金属底冠为0.3mm厚度
对于金属烤瓷桥金属基底支架蜡型叙述错误的是 ( ) A、蜡型厚度应在0.6mm以上以保证金属基底支架的强度B、表面呈凹凸状，利于金-瓷结合C、切缘应成锐角D、厚度均匀一致，表面光滑圆钝E、金-瓷衔接处应位于非咬合功能区
金属烤瓷桥制作的工艺流程正确的是 ( )A.代型的制作-上架-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉B.上架-代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉C.代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-上架-瓷层的堆塑-修形-上釉D.代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-上架-修形-上釉E.上架-代型的制作-瓷层的堆塑-金属基底冠蜡型的制作-修形-上釉
关于金属烤瓷桥金属基底支架蜡型叙述正确的是 ( )A.金-瓷衔接处应在咬合功能区B.切缘应成锐角C.表面呈凹陷状，利于金-瓷压缩结合D.蜡型厚度应保证金属基底支架为0.2mm厚度E.厚度均匀一致，表面光滑圆钝
金属烤瓷桥制作的工艺流程正确的是（）A、上架-代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉B、代型的制作-上架-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉C、代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-上架-瓷层的堆塑-修形-上釉D、代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-上架-修形-上釉E、上架-代型的制作-瓷层的堆塑-金属基底冠蜡型的制作-修形-上釉
有关烤瓷金属基底桥蜡型，说法不正确的是（）。A、蜡型的厚度应均匀一致B、表面应光滑无锐角C、表面呈微小的凹凸状，利于金瓷结合D、金属衔接处应避开咬合功能区，防止瓷裂E、牙体缺损较大，留出瓷层1～1.5mm后，用蜡模恢复缺损
关于金属烤瓷桥金属基底支架蜡型叙述正确的是（）A、蜡型厚度应保证金属基底支架为0.2mm厚度B、表面呈凹陷状，利于金-瓷压缩结合C、切缘应成锐角D、厚度均匀一致，表面光滑圆钝E、金-瓷衔接处应在咬合功能区
多选题对于金属烤瓷桥金属基底支架蜡型叙述错误的是（ ）A蜡型厚度应在0.6mm以上以保证金属基底支架的强度B表面呈凹凸状，利于金-瓷结合C切缘应成锐角D厚度均匀一致，表面光滑圆钝E金-瓷衔接处应位于非咬合功能区
单选题关于金属烤瓷桥金属基底支架蜡型叙述正确的是（）。A蜡型厚度应保证金属基底支架为0.2mm厚度B表面呈凹陷状，利于金-瓷压缩结合C切缘应成锐角D厚度均匀一致，表面光滑圆钝E金-瓷衔接处应在咬合功能区
单选题关于金属烤瓷桥金属基底支架蜡型叙述正确的是（）A蜡型厚度应保证金属基底支架为0.2mm厚度B表面成凹陷状，利于金-瓷压缩结合C切缘应成锐角D厚度均匀一致，表面光滑圆钝E金-瓷衔接处应在咬合接触区
单选题金属烤瓷桥制作的工艺流程正确的是（）A上架-代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉B代型的制作-上架-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉C代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-上架-瓷层的堆塑-修形-上釉D代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-上架-修形-上釉E上架-代型的制作-瓷层的堆塑-金属基底冠蜡型的制作-修形-上釉
单选题金-瓷修复体中金属基底冠蜡型的要求，不正确的是（ ）。A蜡型的厚度应均匀一致B表面应光滑无锐角C表面呈凹陷状，利于金—瓷压缩结合D金属衔接处应避开咬合功能区，防止瓷裂E蜡型厚度应保证金属底冠为0.3mm厚度