单选题关于金属烤瓷桥金属基底支架蜡型叙述正确的是()。A蜡型厚度应保证金属基底支架为0.2mm厚度B表面呈凹陷状,利于金-瓷压缩结合C切缘应成锐角D厚度均匀一致,表面光滑圆钝E金-瓷衔接处应在咬合功能区

单选题
关于金属烤瓷桥金属基底支架蜡型叙述正确的是()。
A

蜡型厚度应保证金属基底支架为0.2mm厚度

B

表面呈凹陷状,利于金-瓷压缩结合

C

切缘应成锐角

D

厚度均匀一致,表面光滑圆钝

E

金-瓷衔接处应在咬合功能区


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

在金-瓷修复中,烤瓷冠的熔模通常是指A、金属全冠的蜡型B、金属面的蜡型C、金属舌面的蜡型D、金属基底冠的蜡型E、金属支架的蜡型

有关烤瓷金属基底桥蜡型,说法不正确的是A、蜡型的厚度应均匀一致B、表面应光滑无锐角C、表面呈微小的凹凸状,利于金瓷结合D、金属衔接处应避开咬合功能区,防止瓷裂E、牙体缺损较大,留出瓷层1~1.5mm后,用蜡模恢复缺损

关于金属烤瓷桥金属基底支架蜡型叙述正确的是 ( )A、蜡型厚度应保证金属基底支架为0.2mm厚度B、表面呈凹陷状,利于金-瓷压缩结合C、切缘应成锐角D、厚度均匀一致,表面光滑圆钝E、金-瓷衔接处应在咬合功能区

制作金属烤瓷桥金属支架蜡型叙述正确的是( )A、0.5mmB、1mmC、2mmD、2.5mmE、3mm

烤瓷冠桥金属基底冠蜡型叙述正确的是A、2mm厚度B、表面呈凹陷状,利于金-瓷压缩结合C、切缘应成锐角D、厚度均匀一致,表面光滑圆钝E、金-瓷衔接处应在咬合功能区

金属烤瓷桥制作的工艺流程正确的是 ( )A.代型的制作-上架-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉B.上架-代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉C.代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-上架-瓷层的堆塑-修形-上釉D.代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-上架-修形-上釉E.上架-代型的制作-瓷层的堆塑-金属基底冠蜡型的制作-修形-上釉

对于金属烤瓷桥金属基底支架蜡型叙述错误的是( )A、蜡型厚度应在0.6mm以上以保证金属基底支架的强度B、表面呈凹凸状,利于金-瓷结合C、切缘应成锐角D、厚度均匀一致,表面光滑圆钝E、金-瓷衔接处应位于非咬合功能区

金属烤瓷桥的金属基底桥架包括_______的基底和_______的基底。其制作方法包括_______和_______两种。

单选题制作金属烤瓷桥金属支架蜡型叙述正确的是()A0.5mmB1mmC2mmD2.5mmE3mm

多选题对于金属烤瓷桥金属基底支架蜡型叙述错误的是( )A蜡型厚度应在0.6mm以上以保证金属基底支架的强度B表面呈凹凸状,利于金-瓷结合C切缘应成锐角D厚度均匀一致,表面光滑圆钝E金-瓷衔接处应位于非咬合功能区

单选题金属烤瓷桥制作的工艺流程正确的是( )A上架-代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉B代型的制作-上架-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉C代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-上架-瓷层的堆塑-修形-上釉D代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-上架-修形-上釉E上架-代型的制作-瓷层的堆塑-金属基底冠蜡型的制作-修形-上釉

单选题关于金属烤瓷桥金属基底支架蜡型叙述正确的是()A蜡型厚度应保证金属基底支架为0.2mm厚度B表面成凹陷状,利于金-瓷压缩结合C切缘应成锐角D厚度均匀一致,表面光滑圆钝E金-瓷衔接处应在咬合接触区

单选题有关烤瓷金属基底桥蜡型,说法不正确的是()A蜡型的厚度应均匀一致B表面应光滑无锐角C表面呈微小的凹凸状,利于金瓷结合D金属衔接处应避开咬合功能区,防止瓷裂E牙体缺损较大,留出瓷层1~1.5mm后,用蜡模恢复缺损