对GaAs性质描述不正确的是()。 A、电子迁移率高B、带隙比较宽，工作温度高C、制备过程无毒D、理想的光伏材料
目前常用煤气成份中CO含量最高、最低的分别是哪种?
发光二极管一般是由半导体材料砷化镓（GaAs）制成。
典型的半导体有（）。A、SiB、AIC、GeD、GaAs
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
氮化镓、碳化硅、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。
颜料中的红是纯度最高的色相，蓝绿色是纯度最低的色相。
n型半导体是在Si、Ge等四价元素中掺入少量（），p型半导体是在在四价元素Si、Ge等中掺入少量（）在价带附近形成掺杂的能级。
下列哪种支付方式的交易成本最高，效率最低？（）A、支票；B、商品货币；C、不兑现纸币；D、电子货币。
太阳能电池基片的厚度GaAs为（），a-Si为（）。
GaAs以及InP的禁带宽度分别为（）；（），与高效率最适合的1.4ev~1.5ev相近。
GaAs或InP太阳能电池由于（）且有（），作为空间太阳能电池已被实用化。
要提高水泥的抗硫酸盐侵蚀性能，下列措施哪种是不恰当的？（）A、尽量降低熟料中C3A的含量B、适当提高熟料中C2S的含量C、尽量提高熟料中C4AF的含量D、掺加适量矿渣作为混合材
磁敏传感器是利用半导体材料中的自由电子或空穴随磁场改变密度大小这一特性制成。
P型半导体是由半导体晶体材料中掺入（）而生成。A、3价元素B、4价元素C、5价元素D、电子
填空题半导体晶体的晶胞具有（）对称性， Si、Ge 、GaAs 晶体为（）结构。用（）h，k，l 表示晶胞晶面的方向。
判断题氮化镓、碳化硅、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。A对B错
单选题下列哪种支付方式的交易成本最高，效率最低？（）A支票；B商品货币；C不兑现纸币；D电子货币。
单选题N型半导体材料的迁移率比P型半导体材料的迁移率（）A相等B小C大
填空题半导体光电子材料中发生的光电效应主要有（）、（）和（）三种。前两种是内光电效应，第三种是外光电效应。
单选题以下所列物质中哪种不是目前薄膜晶体管液晶显示器面板的TFT的半导体材料：（）。A非晶硅（a-Si）B低温多晶硅（LTPS）C金属氧化物（Oxide）D单晶硅（Si）
判断题同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。A对B错
填空题（）和（）是半导体器件的最常用掺杂方法。（）、（）是Si常用的施主杂质；（）是Si常用的受主杂质；（）是GaAs常用的P型掺杂剂；（）是GaAs常用的N型掺杂剂。