通过何种方法可以得到较大的近场区A、使用高频探头B、在探头与体表之间放置水囊C、减少探头直径D、增大阻尼E、使扫描速度增加
关于声场的特性，下述正确的是A、近场区长度与探头半径和频率成正比B、近场区横向分辨率低于远场区C、近场区声束呈喇叭形D、近场区横断面上能量分布基本均匀E、远场区声束直径小于近场区
获得较大近场区的方法是A、使用高频探头B、使用低频探头C、增大阻尼D、改变阻尼E、改变探头直径
在多数软组织中，衰减系数的变化与探头频率近似为A、与探头频率成反比B、频率的平方C、与探头频率成对数关系D、与探头频率成正比E、频率的立方
关于声场的特性，下述正确的是A.近场区长度与探头半径和频率成正比B.近场区横向分辨率低于远场区C.近场区声束呈喇叭形D.近场区横断面上能量分布基本均匀E.远场区声束直径小于近场区
在多数软组织中，衰减系数的变化与探头频率近似为A.与探头频率成反比B.频率的平方C.与探头频率成对数关系D.与探头频率成正比E.频率的立方
探头的晶片尺寸增加对探头的（）有不利影响。A、 声束的指向性B、 近场区长度C、 远距离缺陷检出能力D、 以上都是
同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。
横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能
当探头距缺陷水平距离不变时，缺陷比探头尺寸小产生的信号幅度会发生起伏变化，这个区域称为（）。A、远场区B、近场区C、过渡区D、阴影区
直探头的近场区成为不可探测区，需用双芯片直探头进行探测。
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A、增加B、减小C、不变
说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。A 增大B 不变C 减小D 都有可能
问答题简述斜探头的K值与钢中近场区长度之间的关系。
单选题横波探头晶片尺寸一定时，K值与近场区长度的关系为（）AK值增大时，近场区长度不变BK值增大时，近场区长度增大CK值增大时，近场区长度减小DK值与近场区长度无关
判断题横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。A对B错
单选题探头的晶片尺寸增加对探头的（）有不利影响。A 声束的指向性B 近场区长度C 远距离缺陷检出能力D 以上都是
问答题说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
单选题探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A增加B减小C不变
判断题同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。A对B错
判断题0°探头近场区与探头外部尺寸成正比关系。A对B错
单选题当探头横向移动时，比探头尺寸小的缺陷所产生的信号幅度会发生起伏变化，这个区域称为（）A远场区B近场区C过渡区D阴影区