问答题一个8K×8位的动态RAM芯片,其内部结构排列成256×256形式,存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少?

问答题
一个8K×8位的动态RAM芯片,其内部结构排列成256×256形式,存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少?

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有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读/写周期?死时间率是多少?

在Intel 2164动态RAM存储器中,对存储器刷新的方法是( )。A.每次一个单元B.每次刷新512个单元C.每次刷新256个单元D.一次刷新全部单元

外围电路用ECL电路,使用8K×4bit的sram存储器芯片构成256K×32bit的cache存储器。则需要(5)片存储芯片。A.32B.64C.128D.256

用64K×8的RAM芯片和32K×16的ROM芯片设计一个256K×16的存储器,地址范围为00000H~3FFFFH,其中ROM的地址范围为10000H~1FFFFH,其余为RAM的地址。则地址线为(1)根,数据线为(2)根;ROM需要(3)片,RAM需要(4)片。CPU执行一段程序时,Cache完成存取的次数为5000次,主存完成存取的次数为200次。已知Cache的存取周期为40ns,主存的存取周期为160ns。其两级存储器的平均访问时间为(5)ns。A.18B.9C.16D.8

现有容量为256BX4的RAM,回答案:(1)该RAM应有多少条地址线?(2)该RAM含有多少个字?其字长是多少位?( )A.8,256,4B.8,256,8C.4,256,8D.8,128

若由1K×1位的RAM芯片组成一个容量为8K字(16位)的存储器时,需要该芯片数为()。A.128片B.256片C.64片D.32片

某256×1位的存储芯片内部结构为16×16的存储元矩阵,且采用“重合法”的译码驱动方式来选择存储元,则该芯片引脚中地址线的数目为()。A.256B.32C.16D.8

下列哪些项是动态RAM的典型刷新方法?()A、集中刷新方式B、分散刷新方式C、同步刷新方式D、异步刷新方式

用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读/写周期均为0.5μs,CPU在1μs内至少要访存一次,试问采用哪种刷新方式比较合理?相邻两行之间的刷新间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?

用1024×1位RAM芯片设计一个128KB的存储器系统,问需要()片芯片组成。A、1024B、2048C、128D、256

某机器的主存储器共32KB,由16片16K×1位(内部采用128×128存储阵列)的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式,且刷新周期为2ms,那么所有存储单元刷新一遍需要()个存储周期。A、128B、256C、1024D、16384

一个8K×8位的动态RAM芯片,其内部结构排列成256×256形式,存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少?

分别说明刷新周期、刷新间隔、集中刷新和透明刷新的含义。

若由2K×1位的RAM芯片组成一个容量为8K字的存储器时,需要该芯片数为()

若由1K×1位的RAM芯片组成一个容量为8K字(16位)的存储器时,需要该芯片数为()。A、256片B、128片C、64片D、32片

动态RAM的特点是什么?动态RAM存储器芯片刷新工作的条件是什么?一个64K位芯片每刷新一次可刷新多少个存储单元?

有一个64K×16位的存储器,由16K×1位的DRAM芯片(芯片内是128×128结构)构成,存储器读/写周期为500ns,试问: 1)需要多少片DRAM芯片? 2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 3)如果采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?

已知有16K×1的DRAM芯片,其引脚功能如下:地址输入A6~A0,行地址选择RAS,列地址选择CAS,数据输入端DIN,数据输出端DOUT,控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器,采用奇偶校验。试问:若芯片内部采用128×128矩阵排列,求异步刷新时该存储器的刷新间隔。

256×256的交换网络芯片的交换速率为()?A、1Mb/sB、2Mb/sC、3Mb/sD、4Mb/s

动态RAM芯片2164的容量为64K位(256×256),对2164芯片的刷新方法是()。A、每次刷新1个单元B、每次刷新256个单元C、每次刷新512个单元D、一次刷新全部单元

何谓随机存取存储器RAM?静态RAM和动态RAM的本质区别是什么?动态RAM为什么要刷新?

问答题已知有16K×1的DRAM芯片,其引脚功能如下:地址输入A6~A0,行地址选择RAS,列地址选择CAS,数据输入端DIN,数据输出端DOUT,控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器,采用奇偶校验。试问:若芯片内部采用128×128矩阵排列,求异步刷新时该存储器的刷新间隔。

多选题下列哪些项是动态RAM的典型刷新方法?()A集中刷新方式B分散刷新方式C同步刷新方式D异步刷新方式

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问答题有一个64K×16位的存储器,由16K×1位的DRAM芯片(芯片内是128×128结构)构成,存储器读/写周期为500ns,试问: 1)需要多少片DRAM芯片? 2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 3)如果采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?

问答题一个8K×8位的动态RAM芯片,其内部结构排列成256×256形式,存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少?

单选题动态RAM芯片2164的容量为64K位(256×256),对2164芯片的刷新方法是()。A每次刷新1个单元B每次刷新256个单元C每次刷新512个单元D一次刷新全部单元

单选题某机器的主存储器共32KB,由16片16K×1位(内部采用128×128存储阵列)的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式,且刷新周期为2ms,那么所有存储单元刷新一遍需要()个存储周期。A128B256C1024D16384