一个8K×8位的动态RAM芯片,其内部结构排列成256×256形式,存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少?
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用32K×4位的RAM芯片构成256K×32位存储器芯片M,至少需要(20)个RAM芯片。若用构成的芯片M来存储16MB的内容,则至少需要(21)个这样的芯片M。(55)A.4B.32C.64D.8
外围电路中某电路,使用8K×4位的SRAM存储器芯片构成256K×32位的Cache存储器。(26)片,存储器地址码位数是(27),单个芯片的地址码位数是(28)。A.256B.128C.512D.255
现有容量为256BX4的RAM,回答案:(1)该RAM应有多少条地址线?(2)该RAM含有多少个字?其字长是多少位?( )A.8,256,4B.8,256,8C.4,256,8D.8,128
华为系统中,BBU3900的HCPM配置的基带处理芯片为一块CSM6700,信道处理能力为前向()信道,反向()信道。A、285、256B、256、285,C、285、285D、256、256
单选题组成8K字节的存储器,需要256×4位的存储器芯片()。A32片B64片C16片D50片