名词解释题耗尽区

名词解释题
耗尽区

参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

聚合反应结束后,体系的引发剂()。 A、没有参与反应B、大部分耗掉C、全部耗尽D、小部分耗尽

大量的干粉喷入燃烧区,()就会很快地被消耗尽,链式燃烧反应被终止,从而使火焰熄灭A.H+B.OH-C.H+和OH-

PIN光检测器反向偏压可以取较小的值,因为其耗尽区厚度基本上是由I区的宽度决定的。() A.正确B.错误

导致马拉松运动员运动性疲劳的主要因素是(  )A.磷酸原的耗尽B.pH的下降C.肌糖原的耗尽D.蛋白质的耗尽

PIN光检测器反向偏压可以取较小的值,因为其耗尽区厚度基本上是由Ⅰ区的宽度决定的。()

耗尽型NMOS管

聚合反应结束后,体系的引发剂()。A、全部耗尽B、大部分耗尽C、没有参与反应

为解决IPv4地址耗尽的问题,针对IPv4可以采用()和采用()来推迟IPv4地址耗尽的日期。

太阳能电池片被掺杂了磷的那部分称为()。A、耗尽区B、N区C、P-N结D、P区

光生电流包括()。A、耗尽区内的光生载流子形成的电流B、P区的光生载流子形成的电流C、N区的光生载流子形成的电流D、无外加电压和光子入射时,PN结输出电流

对于耗尽MOS管,VGS可以为()。

UGS=0时,能够工作在恒流区的场效应管有:()。A、JFETB、增强型MOSFETC、耗尽型MOSFET

当UGS=0时,()管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管

当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当外加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。

下列场效应管中,无原始导电沟道的为()。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管

对马拉松运动来说,导致其运动性疲劳的主要因素是()。A、磷酸原的耗尽B、PH的下降C、肌糖原的耗尽D、蛋白质的耗尽

驶入高速公路的车辆,要保证充足的燃油,避免在服务区之间耗尽。

CMOS反相器基本电路包括()A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

名词解释题耗尽区

填空题当对PN结外加正向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度();当对PN结外加反向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度()。

填空题当集电结反偏增加时,集电结耗尽区宽度会(),使基区宽度(),从而使集电极电流(),这就是基区宽度调变效应()。

单选题当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时,耗尽区加宽,使得阈值电压()A增大B减小C不变D先增大后减小

单选题对马拉松运动来说,导致其运动性疲劳的主要因素是()。A磷酸原的耗尽BPH的下降C肌糖原的耗尽D蛋白质的耗尽

单选题大量的干粉喷入燃烧区,()就会很快地被消耗尽,链式燃烧反应被终止,从而使火焰熄灭.AH+BOH-CH+和OH-

填空题由于源、漏区的掺杂浓度()于沟道区的掺杂浓度,所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向()区扩展,使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题()。

单选题当NMOS器件工作在饱和区时,沟道出于()状态。A积累B耗尽C导通D夹断

名词解释题集电结耗尽区渡越时间

填空题当采用耗尽近似时,由N 型耗尽区中的泊松方程可以看出,掺杂浓度越高,则内建电场的斜率越()。