PIN光检测器反向偏压可以取较小的值,因为其耗尽区厚度基本上是由Ⅰ区的宽度决定的。()

PIN光检测器反向偏压可以取较小的值,因为其耗尽区厚度基本上是由Ⅰ区的宽度决定的。()


参考解析

解析:

相关考题:

PN结反向偏置时 () A、P区接电源正极,N区接电源负极B、N区接电源正极, P区接电源负极C、反向电流较大D、反向电流较小

利用反向偏压p-n结在入射光照射下产生光生电流的光器件是()。 A、LEDB、LDC、PIND、APD

当前的两种光检测器类型是:()A.LD和APD B.LED和APD C.PIN和APD D.PIN和LD

PN结加上反向电压时,其PN结的宽度(或空间电荷区)会()。 A、变窄B、变宽C、不变

DWDM系统OTU单板使用的半导体光检测器主要有PIN管和APD管两种,对APD管来说,其接收光功率过载点为()dBm。A.0B.-7C.-9D.-10

PIN光检测器反向偏压可以取较小的值,因为其耗尽区厚度基本上是由I区的宽度决定的。() A.正确B.错误

剪发决定发型的层次是拉取头发的()A、长度B、厚度C、宽度D、厚度与角度

下列关于中间进近航段保护区总宽度的说法中,正确的一项是().A、中间进近航段保护区由电台决定B、中间进近航段保护区由超障需要决定C、中间进近航段保护区由飞机的速度决定D、区域的总宽度由直线连接起始进近的外边界和最后进近的外边界来确定

在加工较厚的工件时,要保证加工的稳定,放电间隙要大,所以()A、脉冲宽度和脉冲间隔都取较大值B、脉冲宽度和脉冲间隔都取较小值C、脉冲宽度取较大值,脉冲间隔取较小值D、脉冲宽度取较小值,脉冲间隔取较大值

WDM系统的BER性能最终是由光检测器输入端的()决定。

DWDM系统OTU单板使用的半导体光检测器主要有PIN管和APD管两种,对APD管来说,其接收光功率过载点为()dBm。

变容二极管的主要参量有()。A、中心反向偏压B、标称电容C、零偏压优值D、反向击穿电压

光纤通信中的光检测器件有()。A、ECCB、BIPC、APDD、PIN

跑道是飞行区的主体。跑道的布置方案可基本上决定飞行区的布置格局。

光生电流包括()。A、耗尽区内的光生载流子形成的电流B、P区的光生载流子形成的电流C、N区的光生载流子形成的电流D、无外加电压和光子入射时,PN结输出电流

外加反向电压,PN结中的耗尽层宽度将变宽。

设计反向和直角航线程序保护区时,考虑的转弯坡度为().A、平均30°或3°/S转弯率的坡度,取较大值B、平均25°或3°/S转弯率的坡度,取较小值C、平均20°或3°/S转弯率的坡度,取较大值

在计算盘旋进近的目视机动区时,考虑的转弯坡度为:().A、平均30°B、平均25°C、平均20°或3°/S转弯率的坡度,取较小值D、平均15°或3°/S转弯率的坡度,取较小值

设计反向和直角航线程序保护区时,考虑的转弯坡度为:().A、平均30°或3°/S转弯率的坡度,取较大值B、平均25°或3°/S转弯率的坡度,取较小值C、平均20°或3°/S转弯率的坡度,取较大值D、平均15°或3°/S转弯率的坡度,取较小值

填空题基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将()全部占据时,集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是()基区宽度、()基区掺杂浓度。

单选题APD光电二极管出现雪崩击穿是因为( )。A载流子在耗尽区的漂移时间过长B将光信号转换为电信号的效率太低C其所加的反向偏置电压过大D其注入的非平衡载流子扩散过快

填空题当对PN结外加反向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

填空题当对PN结外加正向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度();当对PN结外加反向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度()。

判断题外加反向电压,PN结中的耗尽层宽度将变宽。A对B错

单选题在居住密度较高的住宅区其住宅用地的比重应该相对()在居住密度较小的住宅区其住宅用地的比重可以相对()。A较小、较小B较大、较大C较小、较大D较大、较小

判断题光伏器件外加反向偏压时,暗电流随反向偏压的增加有所增大,最后趋近于反向饱和电流。A对B错

填空题当采用耗尽近似时,由N 型耗尽区中的泊松方程可以看出,掺杂浓度越高,则内建电场的斜率越()。