PIN光检测器反向偏压可以取较小的值,因为其耗尽区厚度基本上是由I区的宽度决定的。() A.正确B.错误

PIN光检测器反向偏压可以取较小的值,因为其耗尽区厚度基本上是由I区的宽度决定的。()

A.正确

B.错误

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PN结反向偏置时 () A、P区接电源正极，N区接电源负极B、N区接电源正极， P区接电源负极C、反向电流较大D、反向电流较小
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CNO－T基于NES反向覆盖测试数据的邻区优化结果,可以联动地图显示查看邻区优化结果及合理性 A．错误B．正确
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CNO－T基于NES反向覆盖测试数据进行邻区优化中,候选邻区是指根据测试数据分析,建议增加的邻区。 A．错误B．正确
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位置区中REG_ZONE的划分不能过大,REG_ZONE的最大值由接入信道容量决定。 A．错误B．正确
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当前的两种光检测器类型是：（）A．LD和APD B．LED和APD C．PIN和APD D．PIN和LD
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假设光检测器具有理想特性,则其量子效应为0,且无热噪声,无暗电流。() A.正确B.错误
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为了使雪崩光电二极管正常工作,在其P-N结上应加()A.高正向偏压B.低正向偏压C.低反向偏压D.高反向偏压
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对于变形区的前滑值，下列说法错误的是( )。A.当宽度小于定值时，随宽度增加，前滑值也增加;而当宽度超过此值后，继续增加，前滑值不在增加B.当轧件厚度减小时，前滑值也相应地减小C.随相对压下量的增大，前滑值也增大D.当轧件厚度减小时，前滑值不变
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路由区与位置区的范围可以重叠。 A．错误B．正确
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GSM系统中一个MSC业务区可以由一个或多个位置区组成。 A．错误B．正确
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PIN光检测器反向偏压可以取较小的值，因为其耗尽区厚度基本上是由Ⅰ区的宽度决定的。()
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剪发决定发型的层次是拉取头发的（）A、长度B、厚度C、宽度D、厚度与角度
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在加工较厚的工件时，要保证加工的稳定，放电间隙要大，所以（）A、脉冲宽度和脉冲间隔都取较大值B、脉冲宽度和脉冲间隔都取较小值C、脉冲宽度取较大值，脉冲间隔取较小值D、脉冲宽度取较小值，脉冲间隔取较大值
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对PIN光电二极管优点描述不正确的是（）。A、I区厚，提高了器件的响应率B、I区有电场，提高了响应速度C、耗尽区拉宽，结电容减小，有利于高频响应D、光电转换效率
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DWDM系统OTU单板使用的半导体光检测器主要有PIN管和APD管两种，对APD管来说，其接收光功率过载点为（）dBm。
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变容二极管的主要参量有（）。A、中心反向偏压B、标称电容C、零偏压优值D、反向击穿电压
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光纤通信中的光检测器件有（）。A、ECCB、BIPC、APDD、PIN
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外加反向电压，PN结中的耗尽层宽度将变宽。
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设计反向和直角航线程序保护区时，考虑的转弯坡度为（）.A、平均30°或3°/S转弯率的坡度，取较大值B、平均25°或3°/S转弯率的坡度，取较小值C、平均20°或3°/S转弯率的坡度，取较大值
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下列关于中间进近航段保护区总宽度的说法中，正确的一项是：（）.A、中间进近航段保护区由电台决定B、中间进近航段保护区由超障需要决定C、中间进近航段保护区由飞机的速度决定D、区域的总宽度由直线连接起始进近的外边界和最后进近的外边界来确定
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设计反向和直角航线程序保护区时，考虑的转弯坡度为：（）.A、平均30°或3°/S转弯率的坡度，取较大值B、平均25°或3°/S转弯率的坡度，取较小值C、平均20°或3°/S转弯率的坡度，取较大值D、平均15°或3°/S转弯率的坡度，取较小值
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填空题基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是（）基区宽度、（）基区掺杂浓度。
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单选题APD光电二极管出现雪崩击穿是因为（ ）。A载流子在耗尽区的漂移时间过长B将光信号转换为电信号的效率太低C其所加的反向偏置电压过大D其注入的非平衡载流子扩散过快
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填空题当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
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填空题当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
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判断题光伏器件外加反向偏压时，暗电流随反向偏压的增加有所增大，最后趋近于反向饱和电流。A对B错
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填空题当采用耗尽近似时，由N 型耗尽区中的泊松方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。
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