单选题杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）A变大，变小B变小，变大C变小，变小D变大，变大

单选题
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）
A

变大，变小

B

变小，变大

C

变小，变小

D

变大，变大

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