在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。 A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。 A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压
杂质半导体中的多数载流子浓度取决于() A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷
自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()
在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。 A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度
在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。 A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷E.空穴F.自由电子
在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷E、空穴F、自由电子
在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系
杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷
本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.
在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
温度升高，本征载流子浓度（）；杂质半导体中少子浓度（），多子浓度（）
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）A、温度B、杂质浓度C、电子空穴对数目D、都不是
单选题杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）A变大，变小B变小，变大C变小，变小D变大，变大
单选题施主杂质和受主杂质之间有相互抵消作用，通常称为（）A杂质电离B杂质补偿C载流子复合D载流子迁移
填空题自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
填空题空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
填空题电子在热运动时不断受到晶格振动和杂质的散射作用，因而不断地改变运动方向。半导体中的主要散射机构是（）