填空题在半导体材料中,载流子散射主要有两方面的原因:()和()。

填空题
在半导体材料中,载流子散射主要有两方面的原因:()和()。

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相关考题:

在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴,空穴B、空穴,电子C、电子,电子D、电子,空穴

自由电子为多数载流子,空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()

P型半导体,又称空穴型半导体,这种半导体空穴是多数载流子,电子是少数载流子。

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

在半导体中,通常有()和空穴两种载流子。

在应用朗伯-比耳定律进行实际分析时,经常发现标准曲线不成直线的情况.引起偏离的原因主要有()和()两方面的原因。

杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()A、变大,变小B、变小,变大C、变小,变小D、变大,变大

N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的()价元素组成的。这种半导体的多数载流子为(),少数载流子为()。不能移动的杂质离子带()电。

在N型杂质半导体中,多数载流子是(),少数载流子是()。

半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。

在本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是()型掺杂半导体,其中多数的载流子是();若在本征半导体中掺入少量的五价元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

半导体中有()和()两种载流子,在本征半导体中掺着()阶元素,可形成P型半导体。

在半导体中,自由电子和空穴都是载流子。

对半导体而言,其正确的说法是()A、P型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子

本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目().

半导体中有()和空穴两种载流子。

N型半导体中多数载流子是(),P型半导体中多数载流子是()。

杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的?杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比,哪个大?为什么?

N型半导体是在半征半导体中掺入()元素,其多数载流子是(),少数载流子()。

在P型半导体中,()是多数载流子,()是少数载流子。

由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。

在N型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。

在P型半导体中空穴是()载流子,电子是()载流子。

本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有()A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子

单选题杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()A变大,变小B变小,变大C变小,变小D变大,变大

填空题()和()是半导体的主要载流子,N型半导体中()浓度高于()浓度,而 P型半导体中()浓度高于 电子浓度,()半导体中的两种载流子浓度相等。

填空题空穴为()载流子。自由电子为()载流子的杂质半导体称为P型半导体。